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K2470-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO3P;N沟道;VDS=600V;ID =47A;RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于各种需要高功率和精确控制的工业驱动系统,如大型机械设备的电机控制。
供应商型号: K2470-01MR-VB TO-3PF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2470-01MR-VB

K2470-01MR-VB概述

    # 电子元器件技术手册:N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    本产品是一款N-Channel 600V超级结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为K2470-01MR-VB。该器件具有超低的导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应、照明系统(如高强放电灯HID和荧光灯镇流器)、工业设备(如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器、可再生能源及太阳能逆变器等领域)。

    技术参数


    以下是该器件的主要技术规格:
    | 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压(VDS) 600 | V |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 0.06 Ω |
    | 栅源电压(VGS) | ±30 V |
    | 连续漏电流(ID) | 47 A |
    | 脉冲漏电流(IDM) | 142 A |
    | 峰值脉冲能量(EAS) | 1410 mJ |
    | 最大功耗(PD) | 415 W |
    | 绝对最高额定温度(TJ) | -55到150 °C |
    额外电气特性
    - 输入电容(Ciss):典型值5682 pF
    - 输出电容(Coss):典型值251 pF
    - 反向传输电容(Crss):典型值192 pF
    - 总栅极电荷(Qg):最大值27 nC
    - 栅源电荷(Qgs):典型值46 nC
    - 栅漏电荷(Qgd):典型值79 nC

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷(Qg):典型值仅为27 nC,这降低了器件开关时的能量损失。
    2. 低输入电容(Ciss):典型值5682 pF,进一步减小了高频开关过程中的损耗。
    3. 低导通电阻(RDS(on)):典型值为0.06Ω,在保证高效运行的同时降低了发热。
    4. 超低栅极驱动(VGS):所需的驱动电压低,易于控制。
    5. 重复性脉冲能力:能够在高达142A的电流下工作,并具备1410 mJ的单脉冲能量处理能力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 服务器和电信电源:利用低RDS(on)和低Qg的优势,实现高效的电源转换。
    2. 工业设备:如焊接和感应加热,适用于需要频繁切换的应用场合。
    3. 可再生能源:特别适合于太阳能逆变器的应用,提高效率并降低能耗。
    使用建议
    - 散热设计:确保良好的热管理,建议采用散热片或散热器以提高器件寿命。
    - PCB布局:减少寄生电感,增加接地平面,以优化性能。
    - 电压稳定性:避免超出绝对最大额定电压和电流,确保安全操作。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与其他标准功率MOSFET器件高度兼容,可以方便地替换现有应用中的器件。
    - 技术支持:制造商提供详尽的技术支持和售后服务,确保客户能顺利解决问题并获得所需帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高导致性能下降 | 优化散热设计,确保良好的散热条件 |
    | 开关频率过快导致过度发热 | 适当降低开关频率,减小发热 |
    | 高温环境下电流不稳 | 增加电路中的滤波元件,改善稳定性 |

    总结和推荐


    综上所述,N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET K2470-01MR-VB 在效率、稳定性和可靠性方面表现出色,非常适合各种高端应用。强烈推荐该产品用于需要高效率、低损耗和良好散热性能的场合。如果您正在寻找一款高性能、可靠且易于集成的功率MOSFET,此产品无疑是您的理想选择。

K2470-01MR-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
Rds(On)-漏源导通电阻 60mΩ(mΩ)
通道数量 1
Id-连续漏极电流 47A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
长*宽*高 40.1mm*15.7mm*4.9mm
通用封装 TO-3PF
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2470-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2470-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2470-01MR-VB K2470-01MR-VB数据手册

K2470-01MR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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