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VBE17R10S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=700V;ID =10A;RDS(ON)=600mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;可用于汽车电动化系统、发动机控制单元和车载充电设备等汽车电子控制领域中的功率管理和电路保护。
供应商型号: VBE17R10S TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBE17R10S

VBE17R10S概述

    N-Cha (D-S) Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    N-Cha (D-S) 超结功率 MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,适用于多种电力转换和控制应用。这类器件采用先进的超结技术,具备低导通电阻(RDS(on))和快速开关速度的特点。它们广泛应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明等领域,包括高强度放电灯(HID)和荧光灯的镇流器。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 栅源电压(VGS) | ±30 ±30 | V |
    | 漏源击穿电压(VDS) | 700 - | V |
    | 漏源导通电阻(RDS(on)) | - | 0.5 | - | Ω |
    | 有效栅极电荷(QG) | - | 38 | 56 | nC |
    | 饱和漏电流(ID) | - | 10 | - | A |
    | 峰值脉冲漏电流(IDM) | - | 30 | - | A |
    | 反向恢复时间(trr) | - | 270 | - | ns |
    | 反向恢复电荷(Qrr) | - | 3.3 | - | μC |
    | 工作温度范围(TJ, TSTG) | -55 | - | 150 | °C |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(RDS(on)):使得器件在导通状态下的功率损耗降低,提高效率。
    2. 低输入电容(Ciss):降低开关过程中的能量损失,提高系统的整体性能。
    3. 快速开关速度:减少开关损耗,提升工作效率。
    4. 超低栅极电荷(QG):缩短开关时间,提高系统响应速度。
    5. 重复性雪崩耐受能力(EAU):确保在极端工作条件下依然保持稳定。

    应用案例和使用建议


    N-Cha (D-S) 超结功率 MOSFET 主要应用于高压大功率场合,例如:
    - 服务器和电信电源:提供高效的电力转换,降低能耗。
    - LED 照明:通过精确控制输出电流来实现高效节能的照明效果。
    - 工业驱动器:用于电机驱动系统,提高系统的动态响应性能。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保散热措施充分,以防止因过热导致器件损坏。
    - 使用低压信号驱动栅极,以减小损耗和提升开关速度。
    - 对于高频应用,需特别注意寄生电感的影响,避免干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品与市面上常见的控制器和驱动电路兼容,适用于各种拓扑结构的电源设计。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和客户支持,包括应用指南、常见问题解答和技术咨询等。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中发热严重 | 改善散热设计,增加散热片,降低工作温度。 |
    | 栅极驱动信号不正确 | 检查驱动电路,确认信号波形和幅度正确。 |
    | 输出电流不稳定 | 检查负载是否符合要求,检查外部电路连接。 |

    总结和推荐


    N-Cha (D-S) 超结功率 MOSFET 凭借其低导通电阻、低输入电容、超快开关速度等特点,在多种高要求的应用中表现出色。它不仅提升了系统的整体性能,还能显著降低能耗。我们强烈推荐这款产品用于需要高效、可靠电力转换的应用场合。

VBE17R10S参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 10A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 700V
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 600mΩ(mΩ)
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBE17R10S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBE17R10S数据手册

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VBE17R10S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.1395
2500+ ¥ 3.9595
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