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J319STR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;P沟道;VDS=-200V;ID =-3.6A;RDS(ON)=1160mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=1392mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2.5V;适用于广泛的领域和模块,包括电源管理、电机驱动、LED照明、汽车电子和工业自动化等,为各种应用提供可靠的性能和稳定性。
供应商型号: J319STR-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J319STR-VB

J319STR-VB概述

    P-Channel Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    本手册介绍了VBsemi公司生产的P-Channel Power MOSFET。这类器件是一种场效应晶体管(MOSFET),适用于表面安装,具有动态dv/dt额定值和重复雪崩额定值。P-Channel Power MOSFET特别适合于高速开关应用,易于并联,并且有出色的抗干扰能力。这些器件广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器等领域。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | -200 | V |
    | 通态电阻 (RDS(on)) | - | 1.0 | Ω |
    | 最大漏极连续电流 (ID) | -3.6 | A |
    | 重复雪崩能量 (EAR) | 7.4 | mJ |
    | 最大雪崩能量 (EAS) | 500 | mJ |
    | 雪崩电流 (IAR) | -6.4 | A |
    | 输出电容 (Coss) | 200 | pF |
    | 输入电容 (Ciss) | 700 | pF |
    | 反向传输电容 (Crss) | 40 | pF |
    | 总栅极电荷 (Qg) | 29 | nC |
    | 开启延时时间 (td(on)) | 12 | ns |
    | 关闭延时时间 (td(off)) | 28 | ns |
    | 内部引线电感 (LD) | 4.5 | nH |
    | 内部源极电感 (LS) | 7.5 | nH |

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:重复雪崩额定值使得器件能够承受瞬时过压冲击。
    2. 快速开关:具有低开启延时时间和关闭延时时间,适合高速开关应用。
    3. 易并联操作:易于并联使用,方便在大功率应用中扩展电流。
    4. 低温升:由于较低的通态电阻,可以有效降低功耗,减少温升。
    5. 表面安装:适用于现代紧凑型电路板设计。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 电源管理:在电池管理系统中作为开关器件,提高系统效率。
    2. 电机驱动:用于电动机的调速控制,提高运行稳定性。
    3. 逆变器:用于光伏逆变器中转换直流到交流。
    使用建议:
    1. 在高频开关应用中,确保电路布局尽量减少寄生电感和电容的影响。
    2. 采用良好的散热设计以降低温度对器件性能的影响。
    3. 并联使用时,确保每只器件的参数匹配,避免电流不均导致的失效。

    兼容性和支持


    该器件与标准的表面贴装技术(SMT)兼容,适合多种封装形式。制造商提供全面的技术支持和售后服务,确保客户能够充分利用产品的性能优势。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 改进散热设计,增加散热片 |
    | 开关损耗较大 | 优化电路布局,减少寄生电感和电容 |
    | 噪声干扰严重 | 使用屏蔽措施,增强电磁兼容性 |
    | 寿命短 | 确保负载在安全范围内使用,避免过载 |

    总结和推荐


    VBsemi的这款P-Channel Power MOSFET是一款高性能的产品,非常适合于高速开关、电源管理和电机驱动等应用。其优异的性能指标和易于并联的特点使其在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐给需要高性能、可靠性的应用场合。
    总体评价:
    - 优点:动态dv/dt额定值、重复雪崩额定值、快速开关特性、易于并联操作。
    - 适用范围:广泛应用于电源管理、电机驱动和逆变器等领域。
    - 结论:基于其高性能和技术优势,强烈推荐使用此款P-Channel Power MOSFET。

J319STR-VB参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 2个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.16Ω(mΩ)
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 3.6A
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J319STR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J319STR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J319STR-VB J319STR-VB数据手册

J319STR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
2500+ ¥ 2.3759
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