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11N80L-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=800V;ID =15A;RDS(ON)=380mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于各种领域和模块的电源、开关和放大电路。
供应商型号: 11N80L-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 11N80L-TA3-T-VB

11N80L-TA3-T-VB概述

    11N80L-TA3-T-VB N-Channel 800V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    11N80L-TA3-T-VB 是一款由 VBsemi 推出的高性能 N 沟道超结功率 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。它专为高效率电力转换和开关电源设计而开发,广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及高强度放电灯(HID)和荧光灯照明系统中。
    此款器件具有较低的导通电阻(RDS(on))和总栅极电荷(Qg),能够显著减少开关损耗和导通损耗,同时在重复浪涌和雪崩操作中表现出色,是一款低功耗、高性能的高效能器件。

    技术参数


    以下为 11N80L-TA3-T-VB 的关键技术规格:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 800 | V |
    | 栅源阈值电压(典型值) | VGS(th) | 2 | 3 | 4 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.38 | - | Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg | 8 | 9 | 12 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 11 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | 21 | - | nC |
    | 漏源击穿电压温度系数 | ΔVDS/TJ | - | 0.75 | - | V/°C |
    | 工作结温范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |
    | 雪崩能量 | EAS | - | - | 297 | mJ |
    绝对最大额定值:
    - 漏源电压:800 V
    - 栅源电压:±30 V
    - 连续漏极电流(TJ=150°C):12 A
    - 单脉冲雪崩能量:297 mJ
    - 最大功率耗散:208 W

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻与低损耗:典型 RDS(on) 仅为 0.38 Ω,适合高效率开关电路。
    2. 快速开关性能:总栅极电荷 Qg 仅为 9 nC,适合高频应用。
    3. 强抗雪崩能力:支持重复雪崩运行,保证可靠性。
    4. 超低输入电容:输入电容 Ciss 仅为 172 pF,降低开关损耗。
    5. 兼容性强:支持高达 800 V 的工作电压,适用于多种高压应用场合。
    市场竞争力:
    11N80L-TA3-T-VB 是同类 N 沟道超结功率 MOSFET 中性能最为出色的器件之一,特别适合于需要高效率、小尺寸和长寿命的应用。

    应用案例和使用建议


    典型应用:
    - 服务器与通信电源:用于高效率 AC/DC 转换器。
    - 开关电源:适合高频 SMPS 和 PFC 电路。
    - 照明系统:支持 HID 灯和荧光灯驱动电路。
    使用建议:
    1. 在选择驱动电阻时,建议根据典型 Qg 值计算合适的栅极电阻值以优化开关速度和功耗。
    2. 在高温环境下,注意热管理以避免过高的结温影响性能。
    3. 针对高功率密度应用,建议采用散热器辅助散热。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件采用 TO-220AB 封装,易于焊接与安装,可轻松集成到现有电路板设计中。
    - 支持服务:VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,通过服务热线 400-655-8788 或官网 www.VBsemi.com 可随时获取技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关波形异常 | 检查栅极电阻阻值是否正确,调整驱动电路。 |
    | 高温下器件无法正常工作 | 增加散热措施,确保良好的热设计。 |
    | 雪崩模式失效 | 检查器件是否超出雪崩能量限制,替换符合要求的产品。 |

    总结和推荐


    综合评价:
    11N80L-TA3-T-VB 是一款兼具高效能与可靠性的 N 沟道超结功率 MOSFET,其出色的低损耗特性和强大的抗雪崩能力使其成为电源管理领域的重要选择。它不仅适用于通信和服务器领域的高效率电源设计,也广泛用于照明和工业电源应用。
    推荐指数:⭐⭐⭐⭐⭐
    对于追求高效率和低功耗的设计项目,强烈推荐选用 11N80L-TA3-T-VB。

11N80L-TA3-T-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 800V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
Id-连续漏极电流 15A
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 380mΩ(mΩ)
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

11N80L-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

11N80L-TA3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 11N80L-TA3-T-VB 11N80L-TA3-T-VB数据手册

11N80L-TA3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
1000+ ¥ 9.5015
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