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FP350-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247 凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: FP350-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FP350-VB

FP350-VB概述

    FP350-VB N-Channel 500V(D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    FP350-VB 是一款 N-通道超级结功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高功率开关和电源转换应用。其设计特点使其能够在多种严苛的工作环境下表现出色,特别适合于各种开关模式电源系统(SMPS)、不间断电源(UPS)以及高频率硬开关电路。

    技术参数


    以下是 FP350-VB 的主要技术规格和参数:
    - 电压范围:VDS (Drain-Source 电压) = 500 V
    - 电流范围:
    - 连续漏极电流 (TC = 25°C) = 40 A
    - 连续漏极电流 (TC = 100°C) = 25 A
    - 脉冲漏极电流 (不超过 400 µs, 2% 占空比限制) = 180 A
    - 导通电阻 (RDS(on)):VGS = 10 V 时,RDS(on) = 0.080 Ω
    - 门极电荷 (Qg):最大值为 350 nC
    - 门极-源极电荷 (Qgs):85 nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd):180 nC
    - 绝对最大额定值:
    - 漏极-源极电压 (VDS) = 500 V
    - 门极-源极电压 (VGS) = ± 30 V
    - 最大功率耗散 (TC = 25°C) = 530 W
    - 热阻率:
    - 最大结到壳 (Drain) 热阻 (RthJC) = 0.23 °C/W
    - 最大结到壳 (Drain) 热阻 (RthCS) = 0.24 °C/W
    - 其他特性:
    - 重复脉冲雪崩能量 (EAS) = 910 mJ
    - 单脉冲雪崩能量 (EAR) = 51 mJ
    - 峰值二极管恢复电压 (dV/dt) = 9.0 V/ns

    产品特点和优势


    FP350-VB 具备以下独特功能和优势:
    - 低门极电荷 (Qg):简化驱动要求,减少系统复杂性。
    - 增强型门极、雪崩和动态 dV/dt 耐压能力:提高可靠性和稳定性。
    - 全特性化电容和雪崩电压、电流特性:确保精确的操作。
    - 低导通电阻 (RDS(on)):降低功耗,提高效率。
    - 符合 RoHS 指令 2002/95/EC:环保材料,满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    FP350-VB 主要应用于:
    - 开关模式电源 (SMPS):适用于需要高效能和低损耗的应用。
    - 不间断电源 (UPS):提供稳定可靠的电力供应。
    - 高速功率开关:适合高频电路和硬开关电路。
    使用建议:
    - 确保 PCB 设计中采用低杂散电感布局,以减少开关噪声。
    - 使用良好的接地平面,提高散热效果。
    - 注意选择合适的驱动器和负载条件,避免过载。

    兼容性和支持


    FP350-VB 与其他标准 MOSFET 和驱动器兼容,制造商提供了详细的技术文档和支持,确保用户能够顺利使用该产品。同时,厂商提供详细的安装和维护指南,帮助客户最大限度地发挥其性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备过热
    - 解决方案:检查散热片是否安装正确,确保良好的空气流通和冷却效果。
    2. 问题:驱动器选择不当
    - 解决方案:选择与设备匹配的驱动器,注意驱动器的电压和电流范围。
    3. 问题:过流保护失效
    - 解决方案:安装适当的过流保护器件,并设置合理的过流阈值。

    总结和推荐


    综上所述,FP350-VB 是一款高性能、高可靠性的 N-通道超级结功率 MOSFET,非常适合应用于各种高功率和高频电路中。其低门极电荷、低导通电阻、高耐压能力和丰富的特性使其在市场上具备强大的竞争力。因此,我们强烈推荐此产品用于需要高效率和高可靠性电力转换的应用中。
    如需更多技术支持和详细信息,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

FP350-VB参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 50A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FP350-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FP350-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FP350-VB FP350-VB数据手册

FP350-VB封装设计

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