处理中...

首页  >  产品百科  >  7P20G-TN3-R-VB

7P20G-TN3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;P沟道;VDS=-200V;ID =-8.5A;RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=600mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-3.5V;适用于需要高耐压、中等功率、高效率和可靠性的电源模块和驱动模块,广泛应用于工业、汽车、能源等领域的电子系统中。
供应商型号: 7P20G-TN3-R-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 7P20G-TN3-R-VB

7P20G-TN3-R-VB概述

    P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    本文档介绍了VBsemi公司的P-Channel MOSFET(型号为7P20G-TN3-R)。这是一款高性能的P沟道功率场效应晶体管,主要用于电力转换、电机驱动、电源管理等领域。该产品采用了TO-252封装形式,具有高动态dv/dt额定值、重复雪崩额定值、快速开关和易于并联的特点。

    技术参数


    以下为7P20G-TN3-R的技术规格和性能参数:
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS): -200 V
    - 门源阈值电压 (VGS(th)): -2.0 V 至 -4.0 V
    - 源漏开启电阻 (RDS(on)): 0.50 Ω (VGS=-10 V)
    - 零门电压漏极电流 (IDSS): -100 μA 至 -500 μA
    - 输入电容 (Ciss): 1200 pF
    - 输出电容 (Coss): 370 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 81 pF
    - 动态参数:
    - 总栅极电荷 (Qg): 44 nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 7.1 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 27 nC
    - 开启延迟时间 (td(on)): 14 ns
    - 上升时间 (tr): 43 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 39 ns
    - 衰减时间 (tf): 38 ns
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): -200 V
    - 门源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (ID): -8.5 A (TC=25°C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 700 mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 125 W
    - 峰值二极管恢复电压变化率 (dV/dt): -5.0 V/ns

    产品特点和优势


    7P20G-TN3-R具备以下几个独特功能和优势:
    - 动态dv/dt额定值: 适用于高可靠性需求的应用。
    - 重复雪崩额定值: 具备较高的可靠性和稳定性。
    - 快速开关: 减少损耗,提高效率。
    - 易于并联: 提高系统的灵活性和扩展性。
    - 简单的驱动要求: 降低了系统设计的复杂度。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于电力转换、电机驱动和电源管理等领域。例如,在电机驱动中,可以用于控制电动机的启停和速度调节。在实际应用中,建议使用低杂散电感、接地平面和低泄漏电感来优化电路布局。

    兼容性和支持


    7P20G-TN3-R与现有的大部分电子元器件和设备兼容。VBsemi公司提供详尽的技术支持和维护,确保客户在使用过程中能够得到及时的帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册,常见的问题及解决方法如下:
    - 问题1: 连续漏极电流超出额定值。解决方案: 检查电路布局,确保负载电流不超过额定值。
    - 问题2: 开启延迟时间过长。解决方案: 优化驱动信号的幅度和频率,确保适当的栅极电荷。

    总结和推荐


    综上所述,7P20G-TN3-R凭借其高动态dv/dt额定值、重复雪崩额定值、快速开关和易于并联等特点,成为电力转换、电机驱动和电源管理领域的理想选择。VBsemi公司提供的详尽的技术支持和维护也保证了客户的使用体验。因此,我们强烈推荐这一产品。

7P20G-TN3-R-VB参数

参数
配置 -
FET类型 2个P沟道
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ(mΩ)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 8.5A
通道数量 1
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

7P20G-TN3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

7P20G-TN3-R-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 7P20G-TN3-R-VB 7P20G-TN3-R-VB数据手册

7P20G-TN3-R-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
2500+ ¥ 2.9798
库存: 400000
起订量: 10 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336