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4N80K5-VB TO220

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=800V;ID =5A;RDS(ON)=1300mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于汽车电子系统中的电源管理和驱动控制模块,如电动汽车的逆变器和充电桩。
供应商型号: 4N80K5-VB TO220 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4N80K5-VB TO220

4N80K5-VB TO220概述


    产品简介


    4N80K5-VB 是一款N沟道800V(D-S)超级结功率MOSFET,属于电子元器件中的功率器件类别。这类器件主要用于电力电子系统中的开关和整流操作,具有高效、快速开关及高耐压能力等特点。其主要功能是在各种电源转换和电机驱动应用中提供高效可靠的电流控制,广泛应用于工业自动化、电动车辆、光伏逆变器等领域。

    技术参数


    - 主要规格:
    - VDS(漏源电压):800V
    - RDS(on)(导通电阻):1.2Ω @ VGS = 10V
    - Qg(总栅极电荷):200nC
    - Qgs(栅源电荷):24nC
    - Qgd(栅漏电荷):110nC
    - 配置:单管
    - 封装形式:TO-220AB
    - RoHS合规:符合RoHS标准
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压:±20V
    - 连续漏极电流:25°C时3.9A;100°C时5A
    - 脉冲漏极电流:21A
    - 最大耗散功率:25°C时190W
    - 重复雪崩电流:7.8A
    - 重复雪崩能量:19mJ
    - 峰值二极管恢复电压:2.0V/ns
    - 热阻:
    - 最大结到环境热阻:40°C/W
    - 最大结到外壳热阻:0.65°C/W

    产品特点和优势


    - 动态dV/dt耐受率:增强可靠性。
    - 重复雪崩额定值:确保更高的安全性和可靠性。
    - 隔离中心安装孔:简化组装和散热。
    - 快速开关:降低功耗并提高效率。
    - 易于并联:方便实现多管并联。
    - 简单驱动要求:减少外围电路复杂度。
    - 符合RoHS标准:环保无铅,满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 工业自动化:用于电机驱动器、电源转换模块等。
    - 电动车辆:作为电动汽车中的关键电源管理部件。
    - 光伏逆变器:提升逆变器的转换效率。
    使用建议
    - 冷却设计:由于其高功率密度,建议采用有效的散热措施,如散热片和强制风冷,以保持低工作温度。
    - 驱动电路:确保驱动电路能够提供足够的栅极电荷,避免因驱动不足导致的失效。
    - 布局设计:减小电路的寄生电感和泄漏电感,有助于提高整体效率和可靠性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与大多数通用的电源管理IC和控制器兼容,便于集成到现有的电力电子系统中。
    - 支持和维护:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够获得最佳的使用体验。

    常见问题与解决方案


    - Q: 漏极电流不稳定
    - A: 检查驱动电路是否足够强大,以保证足够的栅极电荷;检查电路布局是否有明显的寄生电感。
    - Q: 温度过高
    - A: 确保良好的散热设计,可以增加散热片或者使用风扇进行主动冷却;检查负载是否超出额定范围。
    - Q: 驱动信号失真
    - A: 检查驱动信号的上升沿和下降沿时间是否合适,适当调整驱动电路参数。

    总结和推荐


    4N80K5-VB 是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET,适用于多种高电压、大电流的应用场合。其独特的快速开关能力和简单易用的特点使其在市场上具有很强的竞争优势。强烈推荐此款产品用于需要高效率和可靠性的电力电子系统中。

4N80K5-VB TO220参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3Ω(mΩ)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 5A
配置 -
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 800V
通道数量 1
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

4N80K5-VB TO220厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4N80K5-VB TO220数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4N80K5-VB TO220 4N80K5-VB TO220数据手册

4N80K5-VB TO220封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
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