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IPI040N06N3 G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO262;N沟道;VDS=60V;ID =120A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;具有高电压、高电流和低导通电阻的特点。适用于各种需要高功率、高效率的电子应用领域。
供应商型号: IPI040N06N3 G-VB TO262
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPI040N06N3 G-VB

IPI040N06N3 G-VB概述


    产品简介


    产品类型:N-Channel 60 V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
    主要功能:
    - 高温耐受性:可在高达175°C的结温下正常工作
    - TrenchFET® 技术:提升开关效率,降低导通电阻
    - 低静态漏极-源极开启电阻(RDS(on)),提高能效
    - 稳定的性能参数:在各种条件下都能保持高性能输出
    应用领域:
    - 工业控制
    - 电机驱动
    - 电源转换器
    - 汽车电子

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 60 | - | - | V |
    | 栅阈值电压 | VGS(th) | 123 | - | - | mV |
    | 栅漏电荷 | Qg | 47 | 70 | - | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | - | 10 | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | - | 12 | nC |
    | 静态漏源导通电阻 | RDS(on) | 0.005 | - | 0.010 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | - | 2650 | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | 470 | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | - | 225 | pF |

    产品特点和优势


    - 高温耐受性:能够在高达175°C的极端环境下稳定运行,满足严苛的工作条件需求。
    - 高可靠性:采用TrenchFET® 技术,提升开关效率并降低导通电阻,从而提高整体能效。
    - 优越的动态性能:快速开关时间(td(on)、td(off)、tr、tf)减少了开关损耗,适用于高频应用。
    - 高电流容量:最高可承受200A的脉冲电流,适合高功率应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在工业控制设备中,用于电机驱动的功率转换器。
    - 在汽车电子系统中,作为高效的电源管理器件。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需确保散热良好,避免过热导致损坏。
    - 使用过程中,关注栅极-源极电压的稳定性,以确保性能的可靠性。
    - 在高速开关应用中,注意选择合适的驱动电路,以减小开关损耗。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 本产品可与标准I2PAK(TO-262)封装的其他电子元件兼容。
    - 适用于各种标准PCB设计。
    支持和维护:
    - 提供详细的使用手册和技术支持文档。
    - 如有需要,可联系服务热线:400-655-8788 获取更多技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问:产品在高温环境下能否稳定工作?
    - 答:可以。产品能在高达175°C的结温下稳定工作,确保在高温环境下也能保持高性能。

    2. 问:如何确保栅极-源极电压的稳定性?
    - 答:在电路设计时,使用稳压电路或稳压二极管来保证栅极-源极电压的稳定性,从而避免电压波动影响性能。
    3. 问:在高速开关应用中,如何减少开关损耗?
    - 答:选择适当的驱动电路和门极电阻,确保快速的开关速度。同时,尽量减少线路的寄生电感,以减小开关损耗。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:该产品具有优秀的高温耐受性、高效能及稳定的性能参数,使其在工业控制、汽车电子等领域具有很高的应用价值。
    - 缺点:可能在某些特殊应用场景中需要额外的散热措施。
    推荐:
    - 推荐在需要高可靠性和高效率的应用场景中使用本产品。例如,工业控制系统、汽车电子、电机驱动等。
    综上所述,这款N-Channel 60 V MOSFET不仅具备强大的性能和广泛的应用范围,还能提供良好的客户支持和服务,是一款值得信赖的产品。

IPI040N06N3 G-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ(mΩ)
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 210A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 3.2mm*3.2mm*800μm
通用封装 TO-262,TO-262F
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPI040N06N3 G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPI040N06N3 G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPI040N06N3 G-VB IPI040N06N3 G-VB数据手册

IPI040N06N3 G-VB封装设计

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