处理中...

首页  >  产品百科  >  JCS9N90FT-VB

JCS9N90FT-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=900V;ID =7A;RDS(ON)=770mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;该器件的高电压和高电流特性使其非常适合用于电动车充电器中的功率开关,用于控制充电过程中的电流和电压,实现快速、高效的充电。
供应商型号: JCS9N90FT-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS9N90FT-VB

JCS9N90FT-VB概述


    产品简介


    产品名称: JCS9N90FT-VB N-Channel 900 V (D-S) Super Junction Power MOSFET
    产品类型: 功率 MOSFET
    主要功能:
    - 高速开关
    - 隔离式中心安装孔
    - 重复性雪崩耐受能力
    - 符合RoHS标准
    应用领域:
    广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。

    技术参数


    - 动态dv/dt额定值: 快速开关,符合RoHS标准。
    - 重复性雪崩额定值: 可承受高达7.8 A的重复性雪崩电流。
    - 最大功率耗散: 65 W(当TJ = 25 °C)。
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 900 V (VGS = 0 V)
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2.0 - 4.0 V (VDS = VGS, ID = 250 μA)
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): -100 μA (VDS = 900 V)
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss): 3100 pF (VGS = 0 V, VDS = 25 V)
    - 输出电容 (Coss): 800 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 490 pF
    - 开关时间参数:
    - 开启延迟时间 (td(on)): 19 ns (VDD = 400 V, ID = 5.6 A)
    - 关断延迟时间 (td(off)): 120 ns
    - 转换时间 (tr): 38 ns

    产品特点和优势


    特点:
    - 快速开关
    - 简单的驱动要求
    - 隔离式中心安装孔
    - 重复性雪崩耐受能力
    - 符合RoHS标准
    优势:
    - 在高电压和大电流环境下具有出色的稳定性和可靠性。
    - 快速开关特性减少了功耗,提升了系统效率。
    - 简化的设计降低了系统复杂度,易于集成。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 用于高压直流转换器和电源模块中的开关元件。
    - 适用于电动车辆的电机驱动和逆变器设计。
    使用建议:
    - 为避免高温导致损坏,确保散热设计充分。
    - 在高频应用中,注意寄生电感的影响。
    - 使用前请仔细阅读数据手册中的相关章节,以确保正确配置和使用。

    兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 该产品可与各种常见的栅极驱动电路兼容,适用于多种控制系统。

    - 支持:
    - 客户技术支持热线:400-655-8788
    - 详细的文档和数据表可从官网下载(www.VBsemi.com)。

    常见问题与解决方案


    问题:
    1. 产品无法正常开启
    - 解决方案: 检查栅极驱动电压是否达到启动阈值(2.0 - 4.0 V)。

    2. 过热导致产品损坏
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,并适当降低工作负载。

    3. 关断后仍有漏电流
    - 解决方案: 检查并更换可能损坏的电容器件。

    总结和推荐



    总结

    :
    - JCS9N90FT-VB是一款高性能的N-Channel 900 V Super Junction Power MOSFET,具备快速开关、重复性雪崩耐受能力强、简单驱动等显著特点。
    - 适合在高电压、大电流环境中使用,如开关电源、电机驱动、逆变器等场合。
    推荐:
    - 强烈推荐给需要高可靠性和高性能的应用场合。如果能妥善管理散热问题,这款产品将是您的理想选择。

JCS9N90FT-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 900V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
配置 -
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 770mΩ(mΩ)
Id-连续漏极电流 7A
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS9N90FT-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS9N90FT-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS9N90FT-VB JCS9N90FT-VB数据手册

JCS9N90FT-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 7.7739
100+ ¥ 7.1981
500+ ¥ 6.6223
1000+ ¥ 6.3343
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 77.73
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504