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K3762-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。在太阳能逆变器和风力发电控制系统中,该型号的MOSFET可用于电源转换和电能调节,提高新能源系统的效率和稳定性。\nTO220;N沟道,900V;5A;RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: K3762-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3762-VB

K3762-VB概述

    K3762-VB N-Channel 900V MOSFET 技术手册

    产品简介


    K3762-VB 是一款N沟道超级结功率MOSFET,具有900V的高耐压能力。它被广泛应用于工业控制、电源转换器、驱动电路和其他需要高电压和低损耗的应用场景中。这款MOSFET不仅具备出色的动态dv/dt额定值,还拥有重复雪崩额定值,使其在高压和高频环境下仍能保持稳定的性能。

    技术参数


    - 耐压能力:VDS = 900V
    - 漏极-源极导通电阻(RDS(on)):VGS = 10V 时为 1.3Ω
    - 总栅极电荷(Qg):最大值为 200nC
    - 栅源电荷(Qgs):24nC
    - 栅漏电荷(Qgd):110nC
    - 连续漏极电流(ID):TC = 25°C 时为 5A,TC = 100°C 时为 3.9A
    - 脉冲漏极电流(IDM):21A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):770mJ
    - 重复雪崩电流(IAR):7.8A
    - 重复雪崩能量(EAR):19mJ
    - 最高功率耗散(PD):TC = 25°C 时为 190W
    - 结到壳热阻(RthJC):0.65°C/W
    - 结到环境热阻(RthJA):40°C/W
    - 反向恢复峰值电压(dV/dt):2.0V/ns
    - 结温范围(TJ, Tstg):-55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    K3762-VB 具备一系列独特的功能和优势,包括:
    - 动态dv/dt额定值:使MOSFET能够在高电压和高频环境中稳定工作。
    - 重复雪崩额定值:提高了产品的可靠性和耐用性。
    - 隔离中央安装孔:便于散热,增强稳定性。
    - 快速开关:降低了开关损耗,提高了效率。
    - 易于并联:简化了多管并联使用的设计。
    - 简单驱动要求:降低驱动电路的复杂度,提高了可靠性。
    这些特点使得K3762-VB 在工业和消费电子产品中具有很高的竞争力。

    应用案例和使用建议


    K3762-VB 主要应用于电源转换器、电机驱动器和工业控制器等领域。例如,在一个典型的电源转换器设计中,K3762-VB 可以作为主开关器件,利用其高耐压能力和低导通电阻实现高效和可靠的电力转换。在实际使用中,建议遵循以下几点:
    - 合理选择散热措施:确保良好的散热设计,避免过热。
    - 优化驱动电路:减少驱动延迟,提高开关速度。
    - 选择合适的安装方式:利用隔离中央安装孔来增加稳定性。

    兼容性和支持


    K3762-VB 与大多数标准电路板安装兼容,并且支持TO-220AB封装。制造商提供全面的技术支持和服务,包括在线文档和电话技术支持。如果需要定制解决方案或进一步的支持,可以直接联系VBsemi的服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能遇到的问题及其解决方案:
    - 问题:过热现象
    - 解决方案:检查散热设计,确保良好的空气流通和散热片的正确安装。
    - 问题:开关损耗过高
    - 解决方案:优化驱动电路,减小驱动电阻,提高开关速度。
    - 问题:性能不稳定
    - 解决方案:检查接线和安装,确保所有连接牢固且无短路。

    总结和推荐


    K3762-VB 是一款高性能的N沟道超级结功率MOSFET,适合用于高电压和高频应用场景。其出色的耐压能力、低导通电阻和重复雪崩额定值使其在市场上具有很高的竞争力。总体而言,推荐在需要高效和稳定电力转换的系统中使用K3762-VB。
    通过以上分析,K3762-VB 不仅满足了高电压和高频应用的需求,还在稳定性、可靠性方面表现出色。强烈推荐在设计过程中考虑使用K3762-VB。

K3762-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 900V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω(mΩ)
Id-连续漏极电流 5A
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3762-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3762-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3762-VB K3762-VB数据手册

K3762-VB封装设计

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