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4085W-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247\n凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: 4085W-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4085W-VB

4085W-VB概述


    产品简介


    本文档介绍的是VBsemi公司生产的N-Channel 500V超级结功率MOSFET(型号为4085W-VB)。这种电子元器件属于N沟道MOSFET,其主要功能是用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、高速功率开关等应用领域。超级结结构使其具有低导通电阻(RDS(on))和高击穿电压(VDS),这使得其非常适合于高压高电流的应用场景。

    技术参数


    - 击穿电压(VDS): 500 V
    - 导通电阻(RDS(on)): 0.080 Ω @ 10 V
    - 总门极电荷(Qg): 350 nC
    - 门极-源极电荷(Qgs): 85 nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd): 180 nC
    - 绝对最大额定值
    - 源极-漏极电压(VDS): 500 V
    - 栅极-源极电压(VGS): ± 30 V
    - 连续漏极电流(ID): 40 A @ TC = 25 °C
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 910 mJ
    - 重复雪崩电流(IAR): 40 A
    - 重复雪崩能量(EAR): 51 mJ
    - 最大功率耗散(PD): 530 W @ TC = 25 °C

    产品特点和优势


    - 低门极电荷(Qg):这使得驱动要求简单,降低了功耗。
    - 改进的门极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性:提高了在高压高频率电路中的稳定性和可靠性。
    - 完全表征的电容和雪崩电压及电流:确保产品的可靠性和一致性。
    - 低RDS(on):降低了导通损耗,提高了能效。
    - 符合RoHS指令2002/95/EC:符合环保标准,适合广泛应用。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET在多种电力转换和控制应用中表现出色。例如,在开关电源中,其低导通电阻和快速开关性能有助于提高系统的效率和稳定性。使用时应注意门极驱动信号的上升时间和下降时间,以避免过高的瞬态应力。同时,设计时应考虑电路板布局,以减少寄生电感,从而改善整体性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这款MOSFET与常见的高压驱动器兼容,可以轻松集成到现有的电力电子系统中。
    - 支持:VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持,用户可以通过其官方服务热线(400-655-8788)获取进一步的技术支持和帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 高频工作时出现过热现象。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,并使用适当的热阻系数来降低温度。
    - 问题: 开关速度慢。
    - 解决方案: 检查并优化门极驱动电路,确保足够的驱动电流和较低的驱动电阻。
    - 问题: 出现雪崩击穿现象。
    - 解决方案: 验证驱动条件和工作环境,确保不超过最大额定值。

    总结和推荐


    综上所述,VBsemi的4085W-VB N-Channel 500V超级结功率MOSFET是一款高性能的电力电子元器件,适用于多种高压高电流应用场合。其低导通电阻、高可靠性以及丰富的技术文档支持使其成为市场上极具竞争力的产品。我们强烈推荐该产品给需要高性能MOSFET的电力电子设计师。

4085W-VB参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
配置 -
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
Id-连续漏极电流 50A
通道数量 1
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

4085W-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4085W-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4085W-VB 4085W-VB数据手册

4085W-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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