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FQP4N80-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=850V;ID =4A;RDS(ON)=2700mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;可以应用于电机控制模块和工业自动化设备中的电源开关和驱动电路,实现高效、稳定的工业生产过程。
供应商型号: FQP4N80-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQP4N80-VB

FQP4N80-VB概述

    FQP4N80-VB Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    FQP4N80-VB 是一款高压 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种电力电子应用。它广泛应用于工业控制、电源转换、电机驱动等领域。此型号产品以其高效能和可靠性著称,特别适合需要快速开关能力和高电流处理能力的应用场合。

    技术参数


    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏极-源极电压 VDS | - | 850 | - | V |
    | 栅极-源极电压 VGS | ±20 | - | ±20 | V |
    | 持续漏极电流 ID | - | 4.1 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 IDM | - | 16 | - | A |
    | 击穿电压 VDS | 850 | - | - | V |
    | 阈值电压 VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 导通电阻 RDS(on) | - | 2.7 | - | Ω (VGS=10V) |
    | 输入电容 Ciss | - | 1300 | - | pF |
    | 输出电容 Coss | - | 310 | - | pF |
    | 逆转移电容 Crss | - | 190 | - | pF |
    | 门极电荷 Qg | - | 78 | - | nC |
    | 开启延迟时间 td(on) | - | 12 | - | ns |

    产品特点和优势


    1. 高动态 dv/dt 等级:FQP4N80-VB 具有较高的 dv/dt 额定值,适用于需要快速开关的应用。
    2. 重复雪崩额定值:具备重复雪崩耐受能力,提高了产品的可靠性和稳定性。
    3. 易于并联:设计用于易于并联使用,方便在需要更高电流的应用中组合使用。
    4. 简单的驱动要求:仅需简单的驱动电路,降低了整体系统的复杂性。
    5. 符合 RoHS 和无卤素标准:满足环保要求,适用于多种应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 电源转换:适合作为高频开关电源中的关键组件。
    - 工业控制:用于工业自动化控制系统中的信号放大和电流控制。
    - 电机驱动:适合用于电动机控制中的开关操作。
    使用建议:
    - 在选择驱动电路时,确保电路设计能够提供所需的门极电压和电流,以充分发挥其高性能。
    - 注意散热管理,特别是在高负载下使用时,要确保良好的热导率以避免过热。

    兼容性和支持


    FQP4N80-VB 可与其他标准电子元件兼容,但具体兼容性取决于特定的设计需求。厂商提供了详细的技术支持和服务热线,客户可以随时联系获取技术支持和问题解答。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方法 |

    | 开关过程中发热严重 | 确保散热系统设计合理,提高散热效率 |
    | 开启延迟时间过长 | 检查驱动电路设计是否合理,增加门极驱动电流 |
    | 高频运行不稳定 | 调整驱动频率和电流设置,优化门极电荷配置 |

    总结和推荐


    总体而言,FQP4N80-VB 功率 MOSFET 具备出色的性能和可靠性,适用于多种电力电子应用。其高动态 dv/dt 等级、重复雪崩额定值以及简单易用的特点使其在市场上具有较强的竞争力。对于需要高性能、稳定性的电力电子应用,FQP4N80-VB 是一个非常值得推荐的选择。

FQP4N80-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 4A
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 850V
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.7Ω(mΩ)
通道数量 1
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FQP4N80-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQP4N80-VB数据手册

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FQP4N80-VB封装设计

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