处理中...

首页  >  产品百科  >  K4022-VB

K4022-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=250V;ID =4.5A;RDS(ON)=640mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;适用于低功率开关、电源管理、LED驱动、传感器接口和便携式电子产品等多个领域的单N沟道MOSFET。
供应商型号: K4022-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4022-VB

K4022-VB概述

    # 高品质Power MOSFET技术手册

    产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种广泛应用于电源转换和控制领域的高性能电子元件。它具备出色的动态性能和易于并联的特点,能够有效提升系统的效率和可靠性。Power MOSFET常用于电源管理、电动机驱动、LED照明以及其他需要高效功率控制的应用场合。

    技术参数


    以下是Power MOSFET的关键技术规格和性能参数:
    - 额定电压 (VDS):250V
    - 导通电阻 (RDS(on)):10V时为0.64Ω
    - 最大总电荷 (Qg):14nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs):2.7nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd):7.8nC
    - 最高工作温度 (TJ, Tstg):-55°C至+150°C
    - 重复脉冲雪崩能量 (EAS):130mJ
    - 最大峰值二极管恢复电压 (dV/dt):4.8V/ns
    - 热阻 (RthJA):50°C/W(单板安装)
    - 连续漏极电流 (ID):10V时,25°C为4.5A;100°C为3.0A
    - 最大功率耗散 (PD):25°C时为45W;单板安装时为2.5W

    产品特点和优势


    1. 动态dV/dt评级:允许快速电压变化,适用于高开关频率应用。
    2. 重复雪崩评级:适用于反复承受高压冲击的应用。
    3. 易于并联:可以轻松实现多颗MOSFET并联以提高电流承载能力。
    4. 快速开关:减少损耗,提高效率。
    5. 可用作表面贴装器件:方便自动化生产和组装。

    应用案例和使用建议


    Power MOSFET广泛应用于电源管理模块、电动机驱动系统、LED驱动器等。例如,在一个高效率的直流-直流变换器中,这种MOSFET能够通过快速开关和低导通电阻来显著提高整体效率。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应注意散热问题,特别是在高功率应用中。
    - 在大电流应用中,考虑使用多颗MOSFET并联以分散热量,提高可靠性。
    - 为了降低寄生电感的影响,PCB布局时要尽量缩短走线长度,确保良好的接地平面。

    兼容性和支持


    - 兼容性:Power MOSFET适用于标准DPAK封装(TO-252),方便与其他标准电路组件配合使用。
    - 技术支持:VBsemi公司提供全面的技术支持,包括产品文档、应用指南和售后服务。建议客户直接联系VBsemi的技术支持团队获取更详细的指导和帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何选择合适的散热片?
    - 解答:根据应用场景确定所需的散热面积,选择与之匹配的散热片。确保散热片安装平整,接触良好,以达到最佳散热效果。
    2. 问题:在高频率下开关时,栅极驱动是否需要特别处理?
    - 解答:对于高频应用,建议使用具有较低寄生电感的栅极驱动电路,以减少开关过程中的损耗和干扰。

    总结和推荐


    总体而言,这款Power MOSFET凭借其出色的动态性能、快速开关能力和易于并联等特点,是电源管理和控制应用的理想选择。尽管其价格相对较高,但考虑到其高效性和可靠性,推荐在高性能应用中使用。VBsemi公司提供的全方位技术支持也使得这款产品成为市场上的强有力竞争者。

K4022-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
配置 -
通道数量 1
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 4.5A
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 640mΩ(mΩ)
Vds-漏源极击穿电压 250V
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 -
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K4022-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4022-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4022-VB K4022-VB数据手册

K4022-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
2500+ ¥ 2.3759
库存: 400000
起订量: 10 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 29.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831