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HFD8N70U-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。一款单N沟道功率MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术制造。其主要特点包括最大漏极-源极电压(VDS)为700V,最大门源电压(VGS)为±30V,阈值电压(Vth)为3.5V,在VGS=10V时的导通电阻为1000mΩ,最大漏极电流(ID)为5A。封装形式为TO252。用作工业控制系统中的开关元件,控制电机、传感器等设备的电源和信号传输。
供应商型号: HFD8N70U-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HFD8N70U-VB

HFD8N70U-VB概述

    HFD8N70U N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    HFD8N70U 是一款高电压N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。其主要功能是在电源管理和电力转换应用中实现高效电能控制。该产品广泛应用于开关电源、电机驱动、太阳能逆变器及LED照明等领域。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):700V
    - 最大漏极电流 (ID):5A (TC = 25°C), 4A (TC = 100°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):16A
    - 结至环境热阻 (RthJA):未提供具体数值
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):120mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR):34A
    - 重复雪崩能量 (EAR):未提供具体数值
    - 最大功耗 (PD):205W (TC = 25°C)
    - 门源阈值电压 (VGS(th)):2.0-4.0V
    - 总栅极电荷 (Qg):15nC
    - 输出电容 (Coss):75pF
    - 栅极电容 (Ciss):320pF
    - 静态门泄漏电流 (IGSS):±100nA
    - 零栅压漏电流 (IDSS):10µA

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷 (Qg):使得驱动要求简单,减少了外部驱动电路的设计复杂度。
    2. 坚固耐用:改进了门控、雪崩和动态dV/dt耐久性,适合在苛刻条件下工作。
    3. 完全标定:包括电容和雪崩电压、电流,确保高可靠性和精确性。
    4. 符合RoHS标准:符合欧盟关于有害物质限制的指令,环保合规。

    应用案例和使用建议


    HFD8N70U MOSFET 适用于多种应用场景,例如在高频逆变器中使用时可以显著提高系统效率。为了最大化性能,建议采用低杂散电感布局设计,并确保充分的散热措施。

    兼容性和支持


    HFD8N70U 与标准电源管理和电机驱动系统的其他组件高度兼容。供应商提供了详尽的技术支持文档,确保用户能够顺利进行安装和调试。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何选择合适的驱动电阻?
    解答:根据门极电荷 (Qg) 和期望的开关时间确定合适的驱动电阻值。

    - 问题:如何判断产品的可靠性?
    解答:通过检查绝对最大额定值和典型工作条件下的参数变化来评估产品的可靠性。

    总结和推荐


    HFD8N70U 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具备低栅极电荷和出色的雪崩耐受能力。其适用于多种高压应用场合,如开关电源、电机驱动和太阳能逆变器。鉴于其优异的性能和广泛的应用领域,我们强烈推荐这一产品。

HFD8N70U-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
通道数量 1
配置 -
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 700V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 5A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1Ω(mΩ)
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

HFD8N70U-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HFD8N70U-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HFD8N70U-VB HFD8N70U-VB数据手册

HFD8N70U-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
2500+ ¥ 2.3759
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型号 价格(含增值税)
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