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VBE2201K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;P沟道;VDS=-200V;ID =-3.6A;RDS(ON)=1160mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=1392mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2.5V;适用于广泛的领域和模块,包括电源管理、电机驱动、LED照明、汽车电子和工业自动化等,为各种应用提供可靠的性能和稳定性。
供应商型号: VBE2201K TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBE2201K

VBE2201K概述

    VBE2201K P-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    VBE2201K 是一款适用于表面安装的 P 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具有快速开关性能、高动态 dv/dt 额定值和重复雪崩额定值等特性。主要应用领域包括电源管理、电机控制、LED 照明和电信设备等领域。

    2. 技术参数


    - 工作电压:-200 V
    - 栅源电压:± 20 V
    - 连续漏极电流:-3.6 A @ 25 °C,-2.5 A @ 100 °C
    - 脉冲漏极电流:-15 A
    - 最大耗散功率:74 W @ 25 °C
    - 热阻抗:62 °C/W(结至环境),40 °C/W(PCB 安装)
    - 输入电容:Ciss:700 pF @ 1 MHz
    - 输出电容:Coss:200 pF
    - 总门极电荷:Qg:29 nC @ -10 V
    - 栅源电荷:Qgs:5.4 nC
    - 栅漏电荷:Qgd:15 nC
    - 导通电阻:RDS(on):1.00 Ω @ -10 V, -3.0 A

    3. 产品特点和优势


    - 快速开关:支持高速开关操作,适合高频应用。
    - 易于并联:方便与其他 MOSFET 并联,提高电流处理能力。
    - 高可靠性:具备重复雪崩额定值,适用于恶劣环境。
    - 逻辑电平驱动:可由逻辑电平信号直接驱动,降低系统复杂度。
    - 低热阻抗:有助于散热,提高可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源管理:可用于各种电源转换电路,如直流到直流转换器和线性稳压器。
    - 电机控制:作为电机驱动器中的开关元件,控制电机的正反转。
    - LED 照明:用于 LED 驱动电路中,实现高效的电流控制。
    使用建议:
    - 在高电流应用中,考虑并联多个 MOSFET 以分担电流负载。
    - 选择合适的 PCB 布局,以减少寄生电感和提高散热效率。
    - 确保良好的接地设计,以减少噪声干扰。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:VBE2201K 可与其他标准的 P 沟道 MOSFET 兼容。
    - 支持和服务:提供详细的技术文档和技术支持,确保用户能够顺利集成到现有系统中。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:过载时电流过大。
    - 解决方案:检查负载是否符合规范,适当增加散热措施。

    - 问题:开关频率不稳定。
    - 解决方案:检查电路布局,确保没有寄生电感和电容引起干扰。

    - 问题:过热导致性能下降。
    - 解决方案:改进散热设计,如使用更大的散热片或增强空气流通。

    7. 总结和推荐


    VBE2201K P-Channel MOSFET 具备出色的性能和广泛的应用范围,尤其适用于需要高可靠性和快速开关性能的应用场合。其快速开关、重复雪崩能力和易于并联的特性使其在市场上具有较强的竞争力。我们强烈推荐将此产品应用于需要高性能和高可靠性的电路设计中。
    如有任何技术疑问或支持需求,欢迎联系我们的服务热线:400-655-8788。

VBE2201K参数

参数
FET类型 2个P沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.16Ω(mΩ)
通道数量 1
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Id-连续漏极电流 3.6A
长*宽*高 5.3mm*6.2mm*1mm
通用封装 DFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBE2201K厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBE2201K数据手册

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VBE2201K封装设计

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