处理中...

首页  >  产品百科  >  B29S50-VB

B29S50-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道;VDS=500V;ID =30A;RDS(ON)=140mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于电动汽车电力系统、工业高压电源模块和太阳能逆变器等高功率电力和电子应用,为这些领域提供稳定可靠的功率开关功能,推动高功率应用领域的发展和应用。
供应商型号: B29S50-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) B29S50-VB

B29S50-VB概述

    B29S50 N-Channel 500-V (D-S) Super Junction MOSFET 技术手册

    产品简介


    B29S50 是一款高性能的 N 沟道 500V 超级结场效应晶体管(MOSFET),具有低阈值电压、低栅极电荷和高电流处理能力等特点。这款 MOSFET 主要应用于硬开关拓扑结构、功率因数校正电源(PFC)、开关模式电源(SMPS)等领域。特别是在 PC 银盒/ATX 电源、两阶段 LED 照明等方面表现出色,是高效率电源设计的理想选择。

    技术参数


    - 工作电压 (VDS):最大 500V,在 TJ max. 时为 500V。
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):在 25°C 时最大为 0.115Ω(在 VGS = 10V 时)。
    - 总栅极电荷 (Qg):最大 86nC。
    - 输入电容 (Ciss):1980 pF。
    - 栅极-漏极电容 (Qgd):25 nC。
    - 连续漏极电流 (ID):在 TJ = 150°C 时,TC = 25°C 时为 30A,TC = 100°C 时为 18A。
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):273mJ。
    - 最大功耗 (PD):280W。
    - 最高工作温度 (TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C。
    - 反向恢复时间 (trr):在 TJ = 25°C 时为 338ns(当 IF = IS 且 dI/dt = 100 A/μs 时)。

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷 (Qg):有助于减少开关损耗。
    2. 低输入电容 (Ciss):可以降低开关频率下的损耗。
    3. 高击穿电压 (VDS):确保在高电压环境下稳定运行。
    4. 高电流处理能力 (ID):适用于大功率应用。
    5. 优良的热稳定性:最高可承受 150°C 的结温。

    应用案例和使用建议


    B29S50 在多个应用领域表现出色,尤其是在 PFC 和 SMPS 中。为了更好地利用其性能,建议:
    - 散热管理:由于其高功耗和高工作温度,需要良好的散热系统以保证其正常运行。
    - 电路布局:采用低寄生电感设计和接地平面,以减少寄生效应。
    - 驱动电路:选用适当的栅极驱动电路,以避免过高的 dV/dt 压力。

    兼容性和支持


    B29S50 与大多数标准电源模块和控制板兼容,适用于多种应用场景。VBsemi 提供详尽的技术文档和客户支持,以帮助用户在各种设计中正确使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:栅极电压不稳定。
    - 解决方案:检查并调整栅极电阻 (Rg),确保驱动电路的稳定性。
    - 问题:高功耗导致温度过高。
    - 解决方案:增加散热措施,如使用散热片或散热风扇。
    - 问题:击穿电压异常。
    - 解决方案:确认所有连接正确,检查是否有短路现象。

    总结和推荐


    B29S50 N-Channel 500-V Super Junction MOSFET 是一款高度可靠和高效的器件,适用于多种电源转换应用。其卓越的性能和广泛的适用范围使其成为市场上极具竞争力的产品。强烈推荐用于需要高效率和高可靠性的场合。
    通过上述详细的技术参数和特点分析,B29S50 显然是一个值得信赖的选择。

B29S50-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 140mΩ(mΩ)
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 500V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 30A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 1
长*宽*高 16mm*10.8mm*4.9mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

B29S50-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

B29S50-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 B29S50-VB B29S50-VB数据手册

B29S50-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 10.7639
100+ ¥ 9.9666
500+ ¥ 9.1693
1000+ ¥ 8.7706
库存: 30000
起订量: 5 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 53.81
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336