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J456-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO263;P沟道;VDS=-200V;ID =-11A;RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=600mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-3.5V;适用于多个领域和模块,可提供稳定、高效的电源开关和驱动功能,是一款性能优异的MOSFET产品。
供应商型号: J456-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J456-VB

J456-VB概述

    J456-VB P-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    J456-VB 是一款 P 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有出色的动态 dV/dt 额定值、重复雪崩额定值和快速开关能力。它属于 P 沟道型,具备并联操作简易、驱动需求简单等特性,适用于多种工业和消费类电子产品。

    技术参数


    J456-VB 主要技术参数如下:
    - 额定电压:VDS (最大) = -200 V
    - 导通电阻:RDS(on) (典型值 @ VGS = -10 V, ID = -6.6 A) = 0.50 Ω
    - 总栅极电荷:Qg (最大) = 44 nC
    - 栅源电荷:Qgs = 7.1 nC
    - 栅漏电荷:Qgd = 27 nC
    - 单脉冲雪崩能量:EAS = 700 mJ
    - 重复雪崩电流:IAR = -11 A
    - 重复雪崩能量:EAR = 13 mJ
    - 最大功率耗散:PD (TJ = 25 °C) = 125 W
    - 峰值二极管恢复速率:dV/dt (最大) = -5.0 V/ns
    - 操作结温和存储温度范围:TJ, Tstg = -55 °C 至 +150 °C

    产品特点和优势


    - 高动态 dV/dt 额定值:增强了在高压、高频环境下的可靠性。
    - 重复雪崩额定值:确保了更高的稳定性和耐用性。
    - 快速开关能力:提高了电路的工作效率,降低了功耗。
    - 易于并联操作:方便了多个 MOSFET 的并行使用,扩展了应用范围。
    - 简单的驱动要求:简化了外围电路的设计和实现。

    应用案例和使用建议


    应用示例:
    - 开关电源:由于其快速开关和高可靠性的特性,适合用于高性能开关电源的设计。
    - 电机控制:在电机驱动系统中,其优秀的动态性能有助于提升系统的响应速度和稳定性。
    - 逆变器:在逆变器设计中,其大功率处理能力和高效的开关性能能够提供更可靠的输出。
    使用建议:
    - 在选择外部驱动电路时,应考虑驱动电阻(Rg)对开关速度的影响,避免因驱动不足导致的开关损耗增加。
    - 设计 PCB 布局时,应尽可能减少寄生电感,提高电路的整体效率。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 兼容多种驱动电路:与标准驱动电路兼容,便于集成到现有系统中。
    - 宽泛的应用温度范围:使其适用于各种恶劣环境,如工业自动化、汽车电子等领域。
    支持和服务:
    - 专业的技术支持团队:为客户提供详尽的技术支持和咨询,解答客户的疑问和问题。
    - 完善的产品文档和资料:提供了详尽的产品规格书和技术手册,帮助客户更好地理解和使用产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决办法:
    - 问题:驱动电路未能正确驱动 MOSFET,导致开关频率过低。
    - 解决方法:检查驱动电阻(Rg)是否合适,确保有足够的驱动电流。
    - 问题:高温环境下 MOSFET 稳定性差,影响系统正常运行。
    - 解决方法:选择合适的散热方案,降低结温,确保 MOSFET 在安全温度范围内工作。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 主要优点:高动态 dV/dt 额定值、重复雪崩额定值、快速开关能力以及简单的驱动要求,使得 J456-VB 在众多应用场景中表现出色。
    - 适用性:广泛应用于工业、汽车电子、电源管理等多个领域,具备较高的市场竞争力。
    推荐:
    - 强烈推荐:鉴于其优异的性能和广泛的适用性,我们强烈推荐 J456-VB MOSFET 在各类高性能应用中使用。

J456-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ(mΩ)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 1
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Id-连续漏极电流 11A
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个P沟道
配置 -
长*宽*高 16mm*10.8mm*4.9mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J456-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J456-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J456-VB J456-VB数据手册

J456-VB封装设计

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