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2SK2767-01_1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。在太阳能逆变器和风力发电控制系统中,该型号的MOSFET可用于电源转换和电能调节,提高新能源系统的效率和稳定性。\nTO220;N沟道,900V;5A;RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: 2SK2767-01_1-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2767-01_1-VB

2SK2767-01_1-VB概述

    2SK2767-011-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    2SK2767-011-VB 是一款高性能的 N 沟道超级结功率 MOSFET,适用于多种高电压和高电流的应用场合。它的主要功能包括动态dv/dt评级、重复雪崩评级和快速开关能力。这款 MOSFET 在电源管理、电机控制和其他高电压应用中表现出色。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 (VDS): 900V
    - 阈值电压 (VGS(th)): 2.0 ~ 4.0V
    - 门源漏电 (IGSS): ± 100nA @ VGS = ± 20V
    - 零门电压漏电流 (IDSS): ≤ 100μA @ VDS = 800V
    - 性能参数
    - 导通电阻 (RDS(on)): 1.3Ω @ VGS = 10V, ID = 3.7A
    - 输入电容 (Ciss): 3100pF @ VGS = 0V, VDS = 25V
    - 输出电容 (Coss): 800pF
    - 逆向传输电容 (Crss): 490pF
    - 总门电荷 (Qg): 200nC @ VGS = 10V, VDS = 400V
    - 热特性
    - 结到环境的热阻 (RthJA): 40°C/W
    - 箱体到散热片的热阻 (RthCS): 0.24°C/W
    - 结到箱体的最大热阻 (RthJC): 0.65°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 动态 dv/dt 评级 和 重复雪崩评级 使其能够在高电压和高电流应用中可靠工作。
    - 快速开关 特性减少了开关损耗,提高了效率。
    - 简单驱动要求 使得该 MOSFET 容易集成到现有的电路设计中。
    - RoHS 兼容,符合环保标准,可应用于多种电子产品。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源转换器:用于高频开关电源中,以提高能效并减少热量生成。
    - 电机控制:应用于电动工具和工业设备中,提供高效的能量控制。
    - LED 驱动器:用于高功率 LED 驱动器中,确保稳定的电流输出。
    使用建议:在高频开关应用中,应注意选择合适的门电阻 (Rg),以优化开关速度和减少振铃现象。同时,合理的散热设计对于延长使用寿命至关重要。

    5. 兼容性和支持


    - 该 MOSFET 与 TO-220AB 封装兼容,可以轻松替换现有的同类产品。
    - 厂商提供了详尽的技术文档和支持,帮助用户快速上手和故障排除。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:在高电压应用中,出现导通电阻增大的情况。
    - 解决方案:检查散热设计,确保 MOSFET 在工作过程中保持适当的温度。
    - 问题 2:开关过程中的振铃现象严重。
    - 解决方案:调整门电阻 (Rg),优化电路布局,减少寄生电感。

    7. 总结和推荐


    2SK2767-011-VB 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,适用于多种高电压和高电流应用。它具有出色的导通特性和高速开关能力,易于驱动且 RoHS 兼容。推荐在需要高效能量管理和精确电流控制的应用中使用。用户在选择和使用该产品时,应充分考虑散热设计和电路布局优化,以发挥其最佳性能。

2SK2767-01_1-VB参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 900V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω(mΩ)
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 5A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 1
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK2767-01_1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2767-01_1-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2767-01_1-VB 2SK2767-01_1-VB数据手册

2SK2767-01_1-VB封装设计

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