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J319STL-E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;P沟道;VDS=-200V;ID =-3.6A;RDS(ON)=1160mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=1392mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2.5V;适用于广泛的领域和模块,包括电源管理、电机驱动、LED照明、汽车电子和工业自动化等,为各种应用提供可靠的性能和稳定性。
供应商型号: J319STL-E-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J319STL-E-VB

J319STL-E-VB概述

    # Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    本文介绍了VBsemi公司的P-Channel Power MOSFET(J319STL-E),这是一种高性能表面贴装场效应晶体管,具备快速开关能力,易于并联。它适用于各种高功率、高频的应用场景,如电源转换器、电机驱动器及逆变器等领域。

    技术参数


    以下是J319STL-E的主要技术规格:
    - 电压参数:
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): -200 V
    - 最大栅源电压 \( V{GS} \): ± 20 V
    - 电流参数:
    - 持续漏极电流 \( ID \)(\( V{GS} \)=-10 V, \( TC \)=25 °C): -3.6 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): -15 A
    - 电阻参数:
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \)(\( V{GS} \)=-10 V, \( ID \)=-3.0 A): 1.0 Ω
    - 电容参数:
    - 输入电容 \( C{iss} \): 700 pF(\( V{GS} \)=0 V, \( V{DS} \)=-25 V, \( f \)=1.0 MHz)
    - 输出电容 \( C{oss} \): 200 pF
    - 栅极电荷参数:
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 29 nC(\( V{GS} \)=-10 V, \( ID \)=-3.5 A, \( V{DS} \)=-160 V)

    产品特点和优势


    J319STL-E具有以下独特的功能和优势:
    - 动态dv/dt额定值:能够承受快速变化的电压,适合应用于高压切换场景。
    - 重复雪崩额定值:能够在极端条件下稳定工作,确保系统的可靠性和耐用性。
    - 快速开关能力:降低了系统损耗,提高了效率。
    - 易于并联:方便进行冗余设计和功率扩展。

    应用案例和使用建议


    该产品适用于多种高功率应用,例如:
    - 电源转换器:用于高效转换电能,提供稳定的输出电压。
    - 电机驱动器:为电机提供精确的控制信号,提高运行效率。
    - 逆变器:实现直流到交流的转换,广泛应用于太阳能发电和储能系统。
    使用建议:
    - 在安装时,建议使用1"²的FR-4或G-10材料的印刷电路板以获得最佳性能。
    - 确保良好的散热设计,避免过热影响使用寿命。

    兼容性和支持


    J319STL-E可与同类产品无缝集成,同时支持多种不同的封装形式。厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够充分利用产品的全部功能。

    常见问题与解决方案


    - Q: 产品如何防止过热?
    - A: 可通过增加散热片或采用高效的散热设计来降低温度。
    - Q: 如何正确使用该产品进行并联操作?
    - A: 使用合适的栅极电阻(如12 Ω)确保各单元同步开关,避免电流集中导致烧毁。

    总结和推荐


    J319STL-E以其高可靠性、快速开关能力和易并联性在多个应用领域展现出卓越的表现。对于需要高功率转换的应用,这款MOSFET是一个理想的选择。强烈推荐给需要高性能场效应晶体管的设计工程师和制造商。

J319STL-E-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 200V
Id-连续漏极电流 3.6A
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.16Ω(mΩ)
FET类型 2个P沟道
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J319STL-E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J319STL-E-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J319STL-E-VB J319STL-E-VB数据手册

J319STL-E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
2500+ ¥ 2.3759
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