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VBL2205M

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO263;P沟道;VDS=-200V;ID =-11A;RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=600mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-3.5V;适用于多个领域和模块,可提供稳定、高效的电源开关和驱动功能,是一款性能优异的MOSFET产品。
供应商型号: VBL2205M TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBL2205M

VBL2205M概述


    产品简介


    VBL2205M是一款P沟道200V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。 主要应用于电源管理、电机控制、高频开关电源等领域。它具有高动态dv/dt耐受能力、重复雪崩额定值、快速开关性能和易于并联的特点。此外,它的门驱动要求简单,使得在各种电路设计中具有较高的灵活性和可靠性。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 | -200 | - | - | V |
    | 栅源电压 | ±20 | - | ±20 | V |
    | 持续漏极电流 | -11 | - | -6.8 | A |
    | 脉冲漏极电流 | -44 | - | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | - | 700 | - | mJ |
    | 重复雪崩电流 | -11 | - | - | A |
    | 重复雪崩能量 | - | 13 | - | mJ |
    | 最大功耗 | - | 125 | - | W |
    | 峰值二极管恢复速率 | - | 5.0 | - | V/ns |
    | 工作结温和存储温度范围 | -55 | - | +150 | °C |

    产品特点和优势


    - 动态dv/dt耐受能力:VBL2205M能够承受高动态变化的dv/dt,使其适用于需要快速响应的应用。
    - 重复雪崩额定值:支持在高功率瞬态情况下可靠运行。
    - 快速开关性能:低输入电容和快速开关时间,可提高系统的效率和响应速度。
    - 易于并联:多个器件可以并联使用,以提高电流处理能力。
    - 简单的门驱动要求:无需复杂的驱动电路,简化了系统设计。

    应用案例和使用建议


    VBL2205M广泛应用于电机控制、电源转换、开关电源等场景。例如,在一个电机控制系统中,VBL2205M可以用作半桥或全桥电路中的开关元件,以实现高效的能量转换和控制。
    使用建议:
    - 在高动态环境下使用时,应注意散热设计,确保器件在安全的工作范围内运行。
    - 并联多个器件时,应注意保持良好的热平衡,避免个别器件过热。

    兼容性和支持


    VBL2205M与标准的P沟道MOSFET驱动电路兼容,如常见的逻辑电平驱动器。厂商提供了详细的技术支持和维护文档,以帮助客户解决使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温下电流容量下降 | 确保良好的散热设计,避免过热 |
    | 开关损耗大 | 优化电路布局,减少寄生电感 |
    | 开关时间过长 | 检查门驱动电阻和电容设置 |

    总结和推荐


    综上所述,VBL2205M具备出色的动态性能和快速的开关能力,适合在高动态、高功率的场合下使用。它具有易于并联和简单驱动的特点,可以显著提升系统的可靠性和效率。考虑到其优秀的性能和广泛的应用场景,强烈推荐将VBL2205M用于电源管理和电机控制等应用中。

VBL2205M参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 1
Id-连续漏极电流 11A
Vds-漏源极击穿电压 200V
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ(mΩ)
栅极电荷 -
FET类型 2个P沟道
长*宽*高 16mm*10.8mm*4.9mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBL2205M厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBL2205M数据手册

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VBL2205M封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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