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FQD7P20TF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;P沟道;VDS=-200V;ID =-8.5A;RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=600mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-3.5V;适用于需要高耐压、中等功率、高效率和可靠性的电源模块和驱动模块,广泛应用于工业、汽车、能源等领域的电子系统中。
供应商型号: FQD7P20TF-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQD7P20TF-VB

FQD7P20TF-VB概述

    FQD7P20TF P-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FQD7P20TF 是一款高性能的P沟道功率MOSFET(场效应晶体管),适用于各种电源管理和高效率转换电路。它的主要功能包括低导通电阻(RDS(on))、快速开关能力和重复雪崩额定值。这些特性使得它特别适合于各种工业和消费电子设备中,如电源适配器、电机驱动和电池管理等应用。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - 最大漏源电压 (VDS):-200V
    - 额定连续漏极电流 (ID):-8.5A(TC = 25°C),-5.8A(TC = 100°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):-44A
    - 最大雪崩能量 (EAS):700mJ(单脉冲)
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS):-200V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):-2.0V ~ -4.0V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):0.50Ω(VGS = -10V, ID = -5.6A)

    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss):1200pF
    - 输出电容 (Coss):370pF
    - 逆向传输电容 (Crss):81pF

    - 开关参数
    - 总栅极电荷 (Qg):44nC
    - 栅源电荷 (Qgs):7.1nC
    - 栅极开通延时时间 (td(on)):14ns
    - 封装
    - TO-252封装
    - 引脚配置:源极(S)、栅极(G)、漏极(D)

    3. 产品特点和优势


    - 动态dv/dt评级:提供良好的瞬态性能,适合高压应用。
    - 重复雪崩额定值:具备优秀的可靠性,可承受高能雪崩事件。
    - 快速开关:得益于低栅极电荷,开关损耗小,提升系统效率。
    - 简单的并联要求:容易并联使用,适合大电流应用。
    - 易用的驱动需求:简化驱动电路设计,降低开发成本。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源适配器:在充电器和适配器中作为开关管使用,提高转换效率。
    - 电机驱动:用于电机控制电路中,减少功耗和发热。
    - 电池管理:作为电池保护电路的关键组件,提高安全性。
    使用建议:
    - 为了降低电磁干扰,建议采用低杂散电感和接地平面的设计。
    - 使用合适的门极电阻(Rg)来控制开关速度,以避免过高的dv/dt。
    - 注意热管理,确保散热良好,避免温度过高影响性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:FQD7P20TF 与标准P沟道MOSFET设计兼容,可以方便地替换现有电路中的器件。
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和支持,包括详细的测试报告和样品申请,以帮助客户快速集成到项目中。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何确定最大允许的工作温度?
    - A:最大允许的工作温度为-55°C至+150°C,但具体应用中需考虑散热措施以确保实际工作温度在安全范围内。
    - Q:如果需要更高的雪崩能量,应该选择什么型号的产品?
    - A:FQD7P20TF 提供高达700mJ的单脉冲雪崩能量,如果需要更高的能量,可咨询VBsemi获取更多信息。

    7. 总结和推荐


    FQD7P20TF 是一款出色的P沟道功率MOSFET,具有优秀的电气特性和可靠性。其广泛的温度范围和易于驱动的特性使其成为多种应用的理想选择。对于寻求高效、可靠电力转换解决方案的工程师来说,强烈推荐使用这款产品。

FQD7P20TF-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ(mΩ)
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 8.5A
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FQD7P20TF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQD7P20TF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQD7P20TF-VB FQD7P20TF-VB数据手册

FQD7P20TF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
2500+ ¥ 2.9798
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