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J666-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO263;P沟道;VDS=-100V;ID =-37A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=50mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2V;适用于电源、电动车辆和工业控制等多个领域和模块,为各类应用提供稳定可靠的电源和控制解决方案。
供应商型号: J666-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J666-VB

J666-VB概述

    J666-VB P-Channel 100V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    J666-VB 是一款由VBsemi生产的P沟道100V(漏源极)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET)。这款MOSFET采用TrenchFET®技术,具有低导通电阻、高电流容量及良好的热稳定性等特点,适用于各种高功率开关电路中。典型应用包括直流到直流转换器、电机驱动、电源管理等领域。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - 漏源极电压(VDS):最大值为-100V
    - 漏极连续电流(ID):最大值为-37A(TC = 25°C)
    - 门限电压(VGS(th)):-1V 至 -3V
    - 零门电压漏极电流(IDSS):最大值为-1μA
    - 开启状态漏极电流(ID(on)):在VDS ≥ 5V,VGS = -10V时为-40A
    - 漏源极开启电阻(RDS(on)):在VGS = -10V时为0.040Ω(ID = -9.2A)
    - 动态特性
    - 输入电容(Ciss):典型值为3800pF
    - 输出电容(Coss):典型值为185pF
    - 反向传输电容(Crss):典型值为135pF
    - 总栅极电荷(Qg):典型值为160nC(VGS = -10V)
    - 热阻特性
    - 结点到空气热阻(RthJA):40°C/W
    - 结点到外壳(漏极)热阻(RthJC):2.1°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 高效能:采用TrenchFET®技术,提供低导通电阻(RDS(on)),降低损耗,提高效率。
    - 高可靠性:最大连续漏极电流为-37A,适用于高功率应用场景。
    - 优良散热性能:结点到空气热阻仅为40°C/W,保证了良好的散热能力,确保长期稳定运行。
    - 安全操作区宽广:具有宽泛的安全操作区,适应不同的负载条件。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于各种高功率开关电路,例如直流到直流转换器、电机驱动、电源管理等。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时,注意栅极驱动信号的选择,以确保足够的驱动能力。
    - 适当增加散热片,以提高热管理性能。
    - 对于高脉冲电流的应用,建议结合保护电路使用,如过流保护等。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与常见的直流到直流转换器、电机驱动板兼容,可在多种工业控制和汽车电子系统中使用。
    - 支持:制造商提供了详尽的技术手册和应用指南,客户可以通过服务热线400-655-8788获取进一步的支持和帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:导通电阻(RDS(on))不稳定。
    - 解决方案:检查驱动电压是否达到门限电压要求,确认连接线路没有接触不良。

    - 问题2:漏极电流不稳定。
    - 解决方案:确认散热措施是否足够,避免温度过高影响正常工作。

    - 问题3:过流保护未触发。
    - 解决方案:检查保护电路设置,确保过流检测灵敏度合适。

    7. 总结和推荐


    J666-VB P-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的功率器件,适用于多种高功率应用场合。其低导通电阻、高电流承载能力和良好的热稳定性使其成为众多应用场景的理想选择。如果您的项目需要高效的电源管理和可靠的高功率开关性能,J666-VB MOSFET将是一个非常值得考虑的产品。强烈推荐在设计过程中优先考虑此型号。

J666-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ(mΩ)
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 2个P沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 37A
长*宽*高 16mm*10.8mm*4.9mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J666-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J666-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J666-VB J666-VB数据手册

J666-VB封装设计

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