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VSO100N10MS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。SOP8;N沟道;VDS=100V;ID =4.2A;RDS(ON)=124mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=128mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=1.8V;具有广泛的应用潜力,可用于各种需要低功率和高性能的电源控制和驱动应用中。
供应商型号: VSO100N10MS-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VSO100N10MS-VB

VSO100N10MS-VB概述

    # N-Channel 100V MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 100V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高效能的功率开关器件,适用于多种高频率电力转换应用。本款MOSFET采用先进的TrenchFET®工艺,具有低导通电阻(RDS(on))和高性能特性。主要功能包括:
    - 高效率电流切换能力
    - 适合高频开关电源应用
    广泛应用于高频率Boost变换器、LCD电视背光等领域。

    技术参数


    以下是该N-Channel 100V MOSFET的关键技术参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 100 | - | 100 | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | - | 4 | - | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.124 (VGS=10V) / 0.128 (VGS=4.5V) | - | Ω |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | - | - | 1 µA |
    | 门电荷 | Qg | - | 4.6 (VGS=6V) / 7.1 (VGS=10V) | - | nC |
    | 门到源极充电 | Qgs | - | 1.7 | - | nC |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |
    此外,该产品具备以下极限参数:
    - 漏源电压 (VDS) | 100 V
    - 门限电压 (VGS) | ± 20 V
    - 持续漏极电流 (TJ = 150°C) | 4.2 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM) | 16 A
    - 最大功耗 (TC = 25°C) | 4.8 W

    产品特点和优势


    独特功能和优势
    - TrenchFET®技术:确保低导通电阻和高开关速度。
    - 100% UIS测试:保证可靠性和长期稳定性。
    - 低漏电:有效提高系统效率。
    - 高耐压能力:能够承受高达100V的漏源电压。
    - 良好的热阻性能:RthJA为42°C/W,确保在高温环境下稳定工作。
    应用重要性及市场竞争力
    这款N-Channel 100V MOSFET凭借其高效的开关性能和卓越的可靠性,在高频率电力转换和LCD背光领域表现出色。其低功耗和高效率使其成为当前市场的热门选择。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 高频率Boost变换器:适用于需要快速响应和高效率的电源转换应用。
    - LCD电视背光:利用其低漏电和高开关速度特性,提高背光模块的效率和寿命。
    使用建议
    - 安装建议:表面安装在1英寸×1英寸的FR4板上,确保良好的散热。
    - 驱动电路设计:建议使用合适的驱动电路,以优化开关速度和减少损耗。
    - 保护措施:确保提供足够的过流和过压保护,避免器件损坏。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 本产品与多数主流电路板材料兼容,如FR4。
    - 可与不同类型的控制器和逆变器搭配使用。
    厂商支持
    - 技术咨询:通过400-655-8788联系我们的客户服务团队。
    - 技术支持:提供详尽的技术文档和应用指南,帮助您更好地了解和使用产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问题:MOSFET在高温下出现异常发热。
    解决方案:检查散热系统是否正常工作,必要时增加外部散热装置。

    2. 问题:导通电阻偏高,影响效率。
    解决方案:确认驱动电压是否达到要求,适当调整驱动电路。
    3. 问题:设备启动时出现不稳定现象。
    解决方案:检查电源输入是否稳定,考虑增加电容滤波。

    总结和推荐


    综合评估
    这款N-Channel 100V MOSFET在效率、可靠性和稳定性方面表现出色,特别适用于高频率电力转换应用。它的高集成度和优良的性价比使其成为众多应用的理想选择。
    推荐结论
    强烈推荐此款MOSFET用于高频率Boost变换器和LCD电视背光等应用。在选型过程中,建议仔细阅读技术手册并参考相关应用指南,以确保最佳的使用效果。

VSO100N10MS-VB参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 4.2A
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 124mΩ(mΩ)
最大功率耗散 -
长*宽*高 6.7mm*3.2mm*1.2mm
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VSO100N10MS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VSO100N10MS-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VSO100N10MS-VB VSO100N10MS-VB数据手册

VSO100N10MS-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.5546
100+ ¥ 1.4394
500+ ¥ 1.3818
4000+ ¥ 1.3243
库存: 400000
起订量: 20 增量: 4000
交货地:
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型号 价格(含增值税)
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