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IRFP360LCPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247 凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: IRFP360LCPBF-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFP360LCPBF-VB

IRFP360LCPBF-VB概述

    IRFP360LCPBF-VB N-Channel 500V Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    IRFP360LCPBF-VB 是一款N沟道500V(D-S)超级结功率MOSFET,广泛应用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、高速功率开关以及硬开关和高频电路中。该产品具备出色的开关性能和耐压能力,是高性能应用的理想选择。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 500V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.080Ω (VGS = 10V)
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大350nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 85nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 180nC
    - 最大连续漏极电流 (ID): TC = 25°C时为40A,TC = 100°C时为25A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 180A
    - 最大峰值功率耗散 (PD): 530W
    - 反向恢复峰值电压 (dV/dt): 9.0V/ns
    - 结温范围 (TJ, Tstg): -55°C至+150°C

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷 (Qg):低栅极电荷使得驱动要求简化。
    2. 高耐用性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt特性,确保更坚固的可靠性。
    3. 全面的电气特性:完全表征了电容和雪崩电压及电流。
    4. 低RDS(on):低导通电阻进一步提升效率。
    5. 符合RoHS指令:满足环保标准,减少对环境的影响。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 不间断电源(UPS)
    - 高速功率开关
    - 硬开关和高频电路
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时需注意散热设计,确保长期稳定运行。
    - 对于需要快速开关的应用,可以选择优化驱动电路来降低栅极电荷的影响。
    - 结合使用适当的散热措施可以更好地提高产品的可靠性和使用寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于多种高压应用场景,与不同类型的电源系统兼容。
    - 支持:厂商提供详细的技术文档和专业的技术支持,帮助客户快速解决问题并优化设计。

    常见问题与解决方案


    1. 高温下性能下降
    - 解决方案:增加散热片或采用水冷等方式加强散热,确保器件在安全温度范围内运行。
    2. 栅极驱动困难
    - 解决方案:调整栅极驱动电路,使用合适的驱动器和补偿电路以确保快速准确的开关控制。
    3. 过高的电压波动
    - 解决方案:安装稳压电路和滤波器,减少外部干扰对器件的影响。

    总结和推荐


    IRFP360LCPBF-VB 是一款高性能的N沟道超级结功率MOSFET,具备优异的开关特性和高效的热管理能力。其在开关电源、UPS和其他高频率应用中的表现尤为出色。对于需要高性能、高效能电子设备的设计者来说,这款MOSFET无疑是最佳选择之一。
    综上所述,强烈推荐使用 IRFP360LCPBF-VB,特别是在需要卓越性能和可靠性的应用中。

IRFP360LCPBF-VB参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 50A
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFP360LCPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFP360LCPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFP360LCPBF-VB IRFP360LCPBF-VB数据手册

IRFP360LCPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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