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10N80L-TF1-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=800V;ID =7A;RDS(ON)=770mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于各种功率电子应用场景,为电源系统和电气控制提供高效稳定的性能。
供应商型号: 10N80L-TF1-T-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 10N80L-TF1-T-VB

10N80L-TF1-T-VB概述

    10N80L-TF1-T-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    10N80L-TF1-T-VB 是一种N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它广泛应用于多种电力电子系统中,尤其适用于需要高效率转换的场合。该产品因其低损耗、高性能的特性而备受推崇,主要应用于服务器和电信电源、开关模式电源、功率因数校正电源以及各种照明系统,如高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器。此外,它还在工业控制和其他高可靠性要求的应用中表现出色。

    2. 技术参数


    以下列出了该产品的关键技术和电气特性参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 800 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2 | - | 4 | V |
    | 饱和漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.85 | - | Ω |
    | 栅极总电荷 | Qg | - | - | 32 | nC |
    | 输入电容 | Ciss | - | 73 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | - | - | pF |
    | 最大耗散功率 | PD | - | - | 99.46 | W |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | +150 | °C |
    | 极限脉冲电流 | IDM | - | - | 110 | A |
    | 单次脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 70 | mJ |

    3. 产品特点和优势


    - 低损耗:由于具有较低的RDS(on),该MOSFET在高电流状态下表现出极低的导通电阻,从而减少了传导损失。
    - 快速开关:超低栅极电荷Qg使得器件能够快速开启和关闭,减少开关损耗。
    - 高可靠性:重复脉冲下的雪崩能量高达70mJ,确保器件在恶劣环境下仍能稳定运行。
    - 适用性强:支持广泛的电压和电流范围,可应用于多种不同的电力电子系统。

    4. 应用案例和使用建议


    该MOSFET广泛应用于高可靠性需求的电力电子系统中,如服务器电源、电信电源、以及各类照明系统。以下是几个实际应用场景:
    - 服务器和电信电源:在这种高负载的环境中,10N80L-TF1-T-VB MOSFET可以提供高效率和稳定的输出。
    - 开关模式电源(SMPS):在SMPS中,该器件通过减少开关损耗来提高系统整体效率。
    - 照明系统:无论是HID还是荧光灯,MOSFET的高可靠性确保了系统的长期稳定运行。
    使用建议:
    - 在设计时需考虑到散热设计,以确保MOSFET能在高温下正常工作。
    - 确保正确的驱动信号,特别是注意栅极电荷的管理,以避免误触发。
    - 在使用过程中定期检测器件状态,确保其持续可靠运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET采用TO-220 FULLPAK封装,易于安装且兼容大多数标准插座。
    - 支持:制造商提供详尽的技术支持和维修服务。如有任何问题,可联系客户服务热线400-655-8788进行咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:启动时MOSFET过热。
    - 解决方案:检查散热设计是否充分,确保MOSFET工作温度不超过最大限制。

    - 问题2:器件响应缓慢。
    - 解决方案:确认驱动信号是否正确,尤其是栅极电荷管理。
    - 问题3:输出不稳定。
    - 解决方案:检查负载和电路连接,确保没有短路或其他异常情况。

    7. 总结和推荐


    综上所述,10N80L-TF1-T-VB MOSFET是一款集低损耗、高可靠性于一身的高性能功率MOSFET。其卓越的性能和广泛的适用性使其成为电力电子系统中的理想选择。对于追求高效率和稳定性的客户而言,强烈推荐使用此款产品。
    如果您对产品有任何疑问或需要技术支持,请随时联系我们的客服团队。

10N80L-TF1-T-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 7A
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 -
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 800V
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 770mΩ(mΩ)
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

10N80L-TF1-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

10N80L-TF1-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 10N80L-TF1-T-VB 10N80L-TF1-T-VB数据手册

10N80L-TF1-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 7.1981
500+ ¥ 6.6223
1000+ ¥ 6.3343
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