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WFF9N90-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=900V;ID =7A;RDS(ON)=770mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;该器件的高电压和高电流特性使其非常适合用于电动车充电器中的功率开关,用于控制充电过程中的电流和电压,实现快速、高效的充电。
供应商型号: WFF9N90-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFF9N90-VB

WFF9N90-VB概述


    产品简介


    产品名称:WFF9N90
    类型:N-Channel (D-S) 超级结功率 MOSFET
    主要功能:适用于高电压和高频开关应用,提供高速开关和低损耗性能
    应用领域:电源转换、电机驱动、逆变器、电池充电器等工业和消费电子产品中

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):900 V
    - 导通电阻 (RDS(on))(@VGS = 10 V):0.95 Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):200 nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs):24 nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd):110 nC
    - 连续漏极电流 (ID)(@VGS = 10 V, TC = 25 °C):5.5 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):21 A
    - 最高功率耗散 (PD)(@TC = 25 °C):65 W
    - 反向恢复峰值电压 (dV/dt):2.0 V/ns
    - 存储温度范围 (Tstg):-55 °C 至 +150 °C

    产品特点和优势


    - 快速开关:具备优异的开关性能,能够显著降低电路中的损耗。
    - 易并联性:可以通过简单的方式实现多管并联,提高系统容量。
    - 低功耗:由于低导通电阻 (RDS(on)) 和快速开关特性,可实现低功耗操作。
    - RoHS 合规:符合环保标准,无铅且不含其他有害物质。
    - 隔离中央安装孔:有助于更好的散热和机械稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电机驱动:适用于高压电机驱动应用,可以实现高效的电机控制。
    - 逆变器:适合用于光伏逆变器和不间断电源系统中,提供高效能转换。
    - 电源转换:在电源适配器和DC-DC转换器中提供高性能解决方案。
    使用建议
    - 在使用过程中,确保电路设计考虑了适当的散热措施,如添加散热片以防止过热。
    - 确保电源线路和接地线路设计合理,以减少寄生电感的影响。
    - 避免长时间处于高功率工作状态,以延长器件寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与其他标准 N-Channel MOSFET 管脚兼容,方便替代现有设计。
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决在应用过程中遇到的技术问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:设备启动时出现异常发热。
    解决方案:检查电源电压和负载情况,确保工作在额定范围内。

    - 问题 2:频繁开关时出现异常关断。
    解决方案:调整驱动电阻 (Rg),确保合适的栅极驱动信号。

    - 问题 3:栅极电压不稳定。
    解决方案:确保电源供应稳定,同时增加滤波电容以平滑电压纹波。

    总结和推荐


    WFF9N90 是一款高性能 N-Channel 超级结功率 MOSFET,具有快速开关、低损耗和高可靠性等优点。它适用于多种高压和高频开关应用,特别适合工业和消费电子领域。虽然需要额外注意散热和电源管理,但其卓越的性能使其成为众多应用的理想选择。总体而言,强烈推荐此产品用于要求高性能和可靠性的场合。

WFF9N90-VB参数

参数
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 7A
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 770mΩ(mΩ)
Vds-漏源极击穿电压 900V
配置 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

WFF9N90-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFF9N90-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WFF9N90-VB WFF9N90-VB数据手册

WFF9N90-VB封装设计

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