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IXFR26N50Q-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247\n凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: IXFR26N50Q-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFR26N50Q-VB

IXFR26N50Q-VB概述


    产品简介


    产品名称:IXFR26N50Q-VB
    产品类型:N-Channel 500V超级结功率MOSFET
    主要功能:
    - 开关特性: 在高压和高频应用中提供高效的开关能力。
    - 保护特性: 优秀的反向恢复特性,确保安全可靠的操作。
    - 驱动要求: 低栅极电荷(Qg)使得驱动简单且高效。
    应用领域:
    - 开关模式电源(SMPS): 适用于需要高效率和快速开关的应用。
    - 不间断电源(UPS): 提供稳定可靠的电源转换。
    - 高速功率开关: 用于需要快速响应的场合。
    - 硬开关电路和高频电路: 适应复杂且动态变化的工作环境。

    技术参数


    - 电压范围: VDS = 500V
    - 栅源阈值电压: VGS(th) = 3.0 - 5.0V
    - 最大连续漏极电流: ID = 40A(TC = 25°C),ID = 25A(TC = 100°C)
    - 总栅极电荷: Qg(max) = 350nC
    - 导通电阻: RDS(on) = 0.080Ω(VGS = 10V)
    - 输出电容: Coss = 960pF
    - 反向传输电容: Crss = 120pF
    - 击穿电压温度系数: ΔVDS/TJ = 0.60V/°C(参考25°C)
    - 单脉冲雪崩能量: EAS = 910mJ
    - 峰值二极管恢复dv/dt: dv/dt = 9.0V/ns
    - 热阻抗: RthJC = 0.23°C/W
    - 工作温度范围: TJ, Tstg = -55°C to +150°C
    - 符合RoHS标准: 符合RoHS Directive 2002/95/EC

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷: 降低驱动需求,简化设计并提高效率。
    - 增强型耐用性: 改进的栅极、雪崩和动态dv/dt坚固性。
    - 完全表征的电容和雪崩电压电流: 确保精确的电气性能。
    - 低导通电阻: 提升整体效率,降低功耗。
    - 适应广泛环境: 能够在极端温度下稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - 典型应用: IXFR26N50Q-VB适用于各种高压和高频电力转换场景,如开关模式电源、不间断电源、高速功率开关及硬开关电路。
    - 使用建议:
    - 在使用过程中应注意保证栅源电压(VGS)不超过±30V,以避免损坏。
    - 为实现最佳性能,在选择外围电路元件时应考虑电容匹配问题,尤其是输出电容Coss。
    - 鉴于产品在高温下的性能表现,需注意散热设计,确保良好散热。

    兼容性和支持


    - 兼容性: IXFR26N50Q-VB具有良好的系统兼容性,可与多种控制系统和保护电路配合使用。
    - 技术支持: 厂商提供详尽的技术文档和在线支持,涵盖安装、调试、故障排查等方面。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:栅源电压超过限制导致损坏。
    - 解决方案: 严格按照额定电压范围(±30V)使用栅源电压,避免过压操作。

    2. 问题:产品发热严重,影响性能。
    - 解决方案: 检查散热设计,确保产品工作时散热良好,必要时增加散热片或采用强制风冷方式。
    3. 问题:高频应用中稳定性不足。
    - 解决方案: 使用合适的外部电容进行滤波,并适当调整电路布局减少寄生电感,从而提高系统的稳定性。

    总结和推荐


    综上所述,IXFR26N50Q-VB是一款性能优异、可靠性高的N-Channel 500V超级结功率MOSFET,特别适合应用于开关模式电源、不间断电源及高频功率开关等领域。该产品凭借其低栅极电荷、增强型耐用性及低导通电阻等特点,在多种复杂工况下表现出色。同时,厂商提供了全面的支持和服务,是客户进行电力转换和管理的理想选择。因此,我们强烈推荐这款产品用于需要高效、可靠电力转换的应用场景。

IXFR26N50Q-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 50A
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
最大功率耗散 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXFR26N50Q-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFR26N50Q-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXFR26N50Q-VB IXFR26N50Q-VB数据手册

IXFR26N50Q-VB封装设计

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