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6R190P6-VB TO220

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
供应商型号: 6R190P6-VB TO220 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 6R190P6-VB TO220

6R190P6-VB TO220概述


    产品简介


    6R190P6-VB TO220 N-Channel MOSFET
    6R190P6-VB 是一款 N 沟道超结 MOSFET,适用于电信、照明、消费及计算、工业、可再生能源及开关模式电源供应系统等领域。其独特的设计使它在多种应用场景中表现出色,特别适合高效率和高频开关应用。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):650 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.19 Ω(在 25 °C,VGS = 10 V)
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值 106 nC
    - 输入电容 (Ciss):最大值 2322 pF
    - 反向恢复时间 (trr):最大值 160 ns
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):60 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):367 mJ
    - 工作温度范围:-55 °C 至 +150 °C
    - 封装形式:TO-220AB

    产品特点和优势


    6R190P6-VB 具有多个关键优势:
    - 低栅极电荷:有助于降低开关损耗,提高工作效率。
    - 低反向恢复电荷 (Qrr) 和 低反向恢复电流 (IRRM):减少电路中的电磁干扰。
    - 低导通电阻 (RDS(on)):确保更低的功率损耗和更高的转换效率。
    - 高雪崩能量等级 (UIS):增强了耐压能力,适合高可靠性应用。
    - 紧凑的封装:便于集成和布局,减少布局复杂度。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电信设备中的服务器和通信电源系统。
    - 照明系统,特别是高强度放电灯 (HID) 和荧光灯球泡。
    - 消费电子和计算设备的电源适配器(如 ATX 电源)。
    - 工业设备,例如焊接机和电池充电器。
    - 可再生能源应用,如太阳能逆变器。
    - 开关模式电源供应系统 (SMPS)。
    使用建议:
    - 在高频应用中,选择合适的驱动电阻以优化开关速度和效率。
    - 在高温环境下,确保适当的散热措施,避免过热影响性能。
    - 注意在设计过程中保持 PCB 走线短且避免杂散电感,以减少干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性:6R190P6-VB MOSFET 与多种驱动器和其他组件兼容,可广泛应用于不同类型的电源系统。
    - 支持和服务:公司提供详细的技术文档和客户支持,帮助客户更好地理解和使用该产品。请访问官网或联系客服热线 400-655-8788 获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确安装 MOSFET?
    - 解决方案:遵循正确的安装指南,注意引脚方向,确保散热片良好接触。
    2. 问题:开关时出现异常噪音?
    - 解决方案:检查 PCB 设计是否有杂散电感,并优化驱动电路,确保稳定的栅极驱动信号。
    3. 问题:导通电阻 (RDS(on)) 不稳定?
    - 解决方案:确认工作温度在允许范围内,避免超出额定参数,同时检查栅极驱动信号是否正常。

    总结和推荐


    6R190P6-VB 是一款高度可靠的 N 沟道超结 MOSFET,具备出色的电气特性和高效的开关性能。它在多种应用场景中表现出色,特别是在要求高效能、高频和高可靠性的系统中。强烈推荐使用该产品,尤其是对于需要高效率和稳定性的应用场合。如需了解更多详细信息,请访问官网 www.VBsemi.com 或联系服务热线 400-655-8788。

6R190P6-VB TO220参数

参数
通道数量 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -

6R190P6-VB TO220厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

6R190P6-VB TO220数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 6R190P6-VB TO220 6R190P6-VB TO220数据手册

6R190P6-VB TO220封装设计

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