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4813NG-VB TO252

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: 4813NG-VB TO252 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4813NG-VB TO252

4813NG-VB TO252概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    本文档介绍了VBsemi公司生产的N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(型号:4813NG TO252)。该MOSFET是一款高性能的功率场效应晶体管,采用TrenchFET®技术。它适用于多种应用领域,如OR-ing、服务器和DC/DC转换。这些特性使其成为高效能电力控制和转换的理想选择。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    - 漏极-源极电压(VDS):30V
    - 连续漏极电流(ID):
    - TA = 25°C:8A
    - TA = 70°C:3.13A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):200A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):94.8mJ
    - 最大耗散功率(PD):
    - TC = 25°C:100W
    - TC = 70°C:75W
    - 热阻:
    - 最大结到环境热阻(RthJA):32°C/W(<10秒)
    - 最大结到壳体稳态热阻(RthJC):0.5°C/W
    - 输入电容(Ciss):2201pF(VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz)
    - 输出电容(Coss):525pF
    - 反向传输电容(Crss):370pF
    - 总栅极电荷(Qg):
    - VGS = 10V:35-45nC
    - VGS = 4.5V:25-35nC
    - 门-源电荷(Qgs):15nC
    - 门-漏电荷(Qgd):20nC
    - 门电阻(Rg):1.4-2.1Ω
    - 开态电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10V:0.007Ω
    - VGS = 4.5V:0.009Ω

    产品特点和优势


    该MOSFET具备以下显著特点和优势:
    - TrenchFET® Power MOSFET技术:提供出色的开关特性和低导通电阻。
    - 100% Rg和UIS测试:确保高可靠性和耐用性。
    - 符合RoHS标准:绿色环保,适合在多种场合中使用。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET广泛应用于多种场景,例如:
    - OR-ing电路:用于电源管理中的冗余切换。
    - 服务器电源系统:提升电源转换效率和可靠性。
    - DC/DC转换器:实现高效的直流电压变换。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需注意散热设计,避免过温保护。
    - 针对特定的应用场景,建议进行详细的热仿真以确定最佳工作条件。

    兼容性和支持


    该MOSFET可与其他电子元器件和设备兼容,例如在DC/DC转换器和其他电源管理模块中使用。VBsemi提供了丰富的技术支持,包括详细的资料文档和客户服务热线。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:高温环境下的稳定性问题
    - 解决方案:确保良好的散热设计,使用散热片或外部冷却装置。
    - 问题2:启动时间过长
    - 解决方案:检查栅极电阻值是否合适,必要时调整以缩短启动时间。

    总结和推荐


    总体来看,VBsemi的N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 4813NG TO252是一款高效可靠的功率场效应晶体管。它具有低导通电阻、优秀的开关特性以及卓越的热稳定性,非常适合在电力转换和管理应用中使用。强烈推荐在需要高性能电力控制的场合下选用此产品。

4813NG-VB TO252参数

参数
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -

4813NG-VB TO252厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4813NG-VB TO252数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4813NG-VB TO252 4813NG-VB TO252数据手册

4813NG-VB TO252封装设计

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