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5R350P-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: 5R350P-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 5R350P-VB TO220F

5R350P-VB TO220F概述


    产品简介


    5R350P-VB 是一款 N 沟道 550V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种应用场景。该器件具有低阻抗和高开关效率的特点,广泛应用于消费电子、服务器和电信电源供应、工业设备如焊接机、感应加热设备和电机驱动系统、电池充电器以及电源因数校正(PFC)等领域。

    技术参数


    以下是5R350P-VB的一些关键技术参数:
    - 电压范围:最大漏源电压 (VDS) 为 550V。
    - 电流范围:在 TJ = 150°C 下连续漏极电流 (ID) 最大值为 18A;单脉冲漏极电流 (IDM) 最大值为 56A。
    - 电阻:在 VGS = 10V 和 25°C 条件下,漏源导通电阻 (RDS(on)) 为 0.26Ω。
    - 电容:输入电容 (Ciss) 最大值为 3094 pF。
    - 总栅极电荷 (Qg):在 VGS = 10V、ID = 10A、VDS = 400V 条件下,最大值为 150 nC。
    - 温度范围:工作结温和存储温度范围为 -55°C 到 +150°C。
    - 热阻:最大结点到环境热阻 (RthJA) 为 40°C/W,最大结点到外壳热阻 (RthJC) 为 0.45°C/W。

    产品特点和优势


    5R350P-VB具有以下特点和优势:
    - 低面积特定导通电阻:优化设计降低电阻,提高效率。
    - 低输入电容 (Ciss):减少电容开关损耗,提高转换效率。
    - 高雪崩能量等级:具有出色的体二极管鲁棒性,能够承受较高的瞬态电压。
    - 快速开关:低栅极电荷和低门驱动电路复杂度使得开关速度更快。
    - 简单的门驱动电路:易于集成和使用。

    应用案例和使用建议


    5R350P-VB 主要应用于以下几个方面:
    - 消费电子:如液晶电视或等离子电视的显示驱动。
    - 电源供应系统:在服务器和电信设备中作为电源管理单元(SMPS)的功率开关。
    - 工业设备:如焊接机、感应加热装置和电机驱动系统。
    - 电池充电器:提供高效的充电解决方案。
    - 功率因数校正(PFC):提升能源利用效率。
    使用建议:
    - 确保所有操作均在规定的工作条件下进行,避免过高的温度导致损坏。
    - 使用外部散热器以确保长期稳定运行。
    - 考虑使用合适的门驱动器,以充分利用其快速开关的优势。

    兼容性和支持


    5R350P-VB 具有一定的通用性和兼容性,可以轻松集成到现有系统中。供应商提供了详细的技术文档和客户支持,确保用户能够高效地进行设计和故障排除。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:栅极泄露电流过高
    - 解决方案:检查连接线是否有损坏或接触不良的情况,确保接地良好。
    2. 问题:温度过高导致失效
    - 解决方案:增加外部散热器或优化热设计,确保良好的散热效果。
    3. 问题:切换速度慢
    - 解决方案:检查门驱动器设置,确保其符合器件要求,优化电路布局以减少杂散电感。

    总结和推荐


    5R350P-VB 是一款高性能、低功耗的 N 沟道 MOSFET,特别适合需要高效能和紧凑设计的应用场合。其出色的性能指标和广泛的适用范围使其在市场上具有很强的竞争力。对于需要高效能、高可靠性的应用,我们强烈推荐使用这款产品。

5R350P-VB TO220F参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
配置 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -

5R350P-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

5R350P-VB TO220F数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 5R350P-VB TO220F 5R350P-VB TO220F数据手册

5R350P-VB TO220F封装设计

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