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6N65K3-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: 6N65K3-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 6N65K3-VB TO220F

6N65K3-VB TO220F概述


    产品简介


    Power MOSFET (型号:6N65K3)
    本产品为一款高性能的N通道增强型功率场效应晶体管(N-Channel Enhancement MOSFET),广泛应用于多种电力转换和控制领域。通过采用先进的工艺技术和优化的设计理念,6N65K3具备出色的开关特性和低导通电阻,能够显著降低系统的能量损耗,提升整体效率。其主要应用包括服务器和电信电源、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及各种照明系统(如高亮度放电灯和荧光灯)和工业设备。

    技术参数


    - 最大耐压(VDS):650V(在TJ max时)
    - 导通电阻(RDS(on)):最大值(在25°C时)为1Ω(VGS=10V)
    - 总栅极电荷(Qg):最大值为13nC
    - 栅极至源极电荷(Qgs):最大值为3.5nC
    - 栅极至漏极电荷(Qgd):最大值为3.8nC
    - 最大连续漏电流(ID):在TJ=150°C时为25A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):最大值为97mJ
    - 工作温度范围:-55°C到+150°C

    产品特点和优势


    - 低品质因子(FOM)Ron x Qg:此特性使器件在开关操作过程中具有较低的能量损耗。
    - 低输入电容(Ciss):有助于减少栅极充电所需的时间,从而提高开关速度。
    - 超低栅极电荷(Qg):进一步减小开关损耗,提高效率。
    - 坚固耐用:器件设计能够承受高达650V的电压,适用于高压环境。

    应用案例和使用建议


    6N65K3常用于服务器和电信电源系统,因为其能够在这些高可靠性要求的应用中提供稳定的电力输出。在高功率SMPS系统中,该器件能够有效地减少能耗,提高系统整体效率。对于工业设备,如工厂自动化系统和机器人技术,6N65K3可确保在大电流下稳定工作,同时保持低热耗散。
    使用建议:
    - 确保电路设计中考虑足够的散热措施,以避免过热导致器件失效。
    - 在设计开关电源时,考虑使用栅极驱动器来优化开关速度和减少寄生效应。

    兼容性和支持


    6N65K3采用标准TO-220FULLPAK封装,具有良好的兼容性,可以方便地集成到现有的系统中。厂商提供了详尽的技术支持,包括产品手册和应用指南,以及售后服务和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何处理过高的栅极电压?
    A:确保在所有情况下都维持VGS在安全范围内(±30V),避免栅极氧化膜击穿。

    - Q:如何预防漏电流?
    A:选择适当的外部电路配置,如并联肖特基二极管以钳制反向电压,从而减少漏电流。

    总结和推荐


    综上所述,6N65K3是一款在多个领域都有广泛应用的高性能功率MOSFET。其卓越的性能和广泛的适用性使其成为电力电子应用的理想选择。鉴于其高效的转换能力和出色的稳定性,我们强烈推荐使用6N65K3来实现高效、可靠的电力管理系统。

6N65K3-VB TO220F参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -

6N65K3-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

6N65K3-VB TO220F数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 6N65K3-VB TO220F 6N65K3-VB TO220F数据手册

6N65K3-VB TO220F封装设计

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