处理中...

首页  >  产品百科  >  4N0401-VB TO220

4N0401-VB TO220

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,40V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220用于各类工业级电源设备的电源开关控制模块,如变频器、逆变器等,提供稳定、高效的电能转换和控制功能。
供应商型号: 4N0401-VB TO220 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4N0401-VB TO220

4N0401-VB TO220概述


    产品简介


    4N0401-VB TO220 N-Channel MOSFET
    4N0401-VB是一款采用TO-220AB封装的N沟道功率MOSFET,由VBsemi公司生产。这种类型的电子元器件主要用于同步整流和电源管理等领域。其独特的设计使其具有高可靠性和高效能,适用于各种电力应用场合。

    技术参数


    以下是一些关键的技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 40 V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) 2 mΩ |
    | 连续漏极电流 | ID 180 A |
    | 门限电压 | VGS(th) | 2.0 4.0 | V |
    | 门到源泄漏电流 | IGSS ± 100 nA |
    | 集电极-发射极最大耗散功率 | PD 312 | W |
    | 工作温度范围 | TJ | -55 150 | °C |
    此外,其绝对最大额定值包括最大门源电压(±20 V)、单脉冲雪崩能量(320 mJ)和最大雪崩电流(80 A)。热阻参数也列于技术规格中,以确保良好的散热效果。

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的TrenchFET技术,显著提高了产品的性能和可靠性。
    2. 全面测试:100% Rg和UIS测试,确保每个产品的质量和一致性。
    3. 低RDS(on):在VGS = 10 V时,RDS(on)仅为2 mΩ,极大降低了功耗,提高了效率。
    4. 宽工作温度范围:-55°C至150°C的工作温度范围,适合各种恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 同步整流:如在直流-直流转换器中使用,可以提高整体效率。
    - 电源供应:适用于需要高效率、高频率开关的应用。
    使用建议:
    - 在设计电路时,需注意MOSFET的散热问题,特别是在高电流条件下使用时。
    - 使用外部散热片可以进一步降低工作温度,提高稳定性。

    兼容性和支持


    4N0401-VB MOSFET与其他电子元器件的兼容性良好,可在多种电路板设计中使用。VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持,确保客户能够顺利应用和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:门限电压偏移较大,影响正常工作。
    - 解决方案:检查并调整电源电压,确保VGS符合要求。
    2. 问题:在高温环境下运行时,导通电阻增加明显。
    - 解决方案:使用外部散热措施,如安装散热片,改善散热条件。
    3. 问题:在高负载下工作时,MOSFET过热。
    - 解决方案:采用更高的散热措施,如增加散热片,或者使用更大尺寸的散热片。

    总结和推荐


    总结:
    4N0401-VB TO220 N-Channel MOSFET凭借其高性能、高可靠性和广泛的适用范围,在电力管理和控制领域表现优异。其TrenchFET技术、全面测试和良好的工作温度范围使得它成为许多关键应用的理想选择。
    推荐:
    鉴于其卓越的性能和广泛的应用场景,强烈推荐将4N0401-VB MOSFET用于同步整流和电源管理系统。对于需要高效率和稳定性的应用,这款MOSFET无疑是一个值得考虑的选择。

4N0401-VB TO220参数

参数
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -

4N0401-VB TO220厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4N0401-VB TO220数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4N0401-VB TO220 4N0401-VB TO220数据手册

4N0401-VB TO220封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 58.3
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336