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5R199P-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
供应商型号: 5R199P-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 5R199P-VB TO220F

5R199P-VB TO220F概述


    产品简介


    产品概述
    5R199P-VB 是一款采用 TO220F 封装的 N 沟道超级结功率 MOSFET。这款 MOSFET 具备低导通电阻(RDS(on))和高击穿电压(VDS),使其非常适合应用于需要高效转换和高可靠性的场合。
    主要功能
    - 低导通电阻(RDS(on))
    - 高击穿电压(VDS)
    - 低栅极电荷(Qg)
    应用领域
    - 服务器和电信电源供应系统
    - 开关模式电源供应系统(SMPS)
    - 功率因数校正电源供应系统(PFC)
    - 照明设备
    - 高强度放电灯(HID)
    - 荧光灯镇流器
    - 工业应用

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 击穿电压 (VDS) | - | 650 | - | V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | - | 0.19 | - | Ω |
    | 栅源电容 (Ciss) | - | 2322 | - | pF |
    | 输出电容 (Coss) | - | 105 | - | - |
    | 反向传输电容 (Crss)| - | -4 | - | - |
    | 总栅极电荷 (Qg) | - | 71 | - | nC |
    | 栅源电荷 (Qgs) | - | 14 | - | nC |
    | 栅漏电荷 (Qgd) | - | 33 | - | nC |

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:Qg 仅为 71 nC,可减少开关损耗,提高效率。
    - 低导通电阻:RDS(on) 为 0.19 Ω,适合高电流应用。
    - 低栅源电容:Ciss 为 2322 pF,进一步降低开关损耗。
    - 高耐压:VDS 达到 650 V,适用于高压应用。
    这些特点使得 5R199P-VB 在多种应用中表现出色,尤其在需要高效率和高可靠性的场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器电源:5R199P-VB 的低栅极电荷和高击穿电压使其成为服务器电源的理想选择。
    - 照明设备:在高强度放电灯和荧光灯镇流器中,5R199P-VB 可以提供高效的电力转换。
    使用建议
    - 散热管理:由于其较高的热阻,确保良好的散热设计以避免过温。
    - 驱动电路:建议使用专用的驱动芯片来确保 MOSFET 在高频下的稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:5R199P-VB 与标准 TO220F 封装兼容,适用于多种 PCB 设计。
    - 支持和服务:台湾 VBsemi 提供全面的技术支持,包括样品申请和售后技术支持,服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热导致性能下降 | 改善散热设计,增加散热片 |
    | 开关频率过高导致损坏 | 降低驱动信号频率 |
    | 栅极驱动电压不正确 | 检查驱动电路,调整电压设置 |

    总结和推荐


    5R199P-VB 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道超级结功率 MOSFET,具备低导通电阻和高击穿电压等特点,适用于各种高要求的应用场景。通过良好的散热管理和合适的驱动电路设计,可以最大限度地发挥其性能。鉴于其优秀的特性和广泛的应用范围,强烈推荐使用 5R199P-VB 在您的项目中。

5R199P-VB TO220F参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

5R199P-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

5R199P-VB TO220F数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 5R199P-VB TO220F 5R199P-VB TO220F数据手册

5R199P-VB TO220F封装设计

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