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60N04-VB TO252

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,40V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V) 封装:TO252 由于其中等漏极电流和适中的漏极-源极电阻,可用于设计各种电源模块,如直流-直流(DC-DC)转换器和交流-直流(AC-DC)转换器。
供应商型号: 60N04-VB TO252 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 60N04-VB TO252

60N04-VB TO252概述

    N-Channel 40-V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    N-Channel 40-V MOSFET 是一种具有卓越性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET)。它采用先进的 TrenchFET® 技术制造,适用于多种应用场景,包括服务器电源管理、直流-直流转换等。本产品主要通过降低内部电阻和提高电流承载能力来实现高效电力传输,特别适合用于需要高效率和低损耗的应用场合。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 (VDS) 40 | V |
    | 源漏导通电阻 (RDS(on)) 0.013 Ω |
    | 连续漏极电流 (ID) 90 A |
    | 最大脉冲漏极电流 (IDM) 200 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | 94.8 mJ |
    | 最大连续栅极-源极电压 (VGS) | ±20 V |
    | 工作温度范围 (TJ, Tstg) | -55 175 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽技术,提高电流处理能力和降低导通电阻。
    - 合规 RoHS:符合欧盟 RoHS 指令 2011/65/EU,确保环保安全。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:所有产品均经过严格的栅极电阻和雪崩测试,确保可靠性。
    - 高电流承载能力:连续漏极电流可达 90A,适用于高强度应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器电源管理:由于其高电流承载能力和低导通电阻,该 MOSFET 在服务器电源管理中表现优异,能够有效减少能耗和热损失。
    - 直流-直流转换:在直流-直流转换应用中,其出色的动态响应特性使得电路设计更为灵活高效。
    使用建议:
    - 在进行电路设计时,注意 MOSFET 的散热问题,特别是在高电流条件下运行时。
    - 考虑到 MOSFET 的开关特性,建议合理设置栅极电阻以优化开关速度和减少开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与大多数标准电源管理和驱动电路兼容。
    - 支持和服务:厂商提供全面的技术支持,包括产品咨询、应用指南和技术文档下载,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:产品发热严重。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,增加散热片或风扇,确保良好的热传导路径。
    - 问题二:开关频率过高导致振荡。
    - 解决方案:适当减小栅极电阻,优化门极驱动电路,降低开关频率,增加软启动电路。

    7. 总结和推荐


    总结:
    - 优点:N-Channel 40-V MOSFET 在高电流承载、低导通电阻和高可靠性方面表现出色,特别适合于服务器电源管理和直流-直流转换等应用。
    - 适用场景:适用于需要高效率和低损耗的电源管理系统,特别是在高频开关应用中表现优异。
    推荐:
    - 推荐使用:鉴于其优秀的性能和广泛的适用性,强烈推荐在高功率密度、高效率要求的应用中使用 N-Channel 40-V MOSFET。

60N04-VB TO252参数

参数
栅极电荷 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -

60N04-VB TO252厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

60N04-VB TO252数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 60N04-VB TO252 60N04-VB TO252数据手册

60N04-VB TO252封装设计

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