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FI530G-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,18A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F适用于多种低功率功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和低阈值电压,适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: FI530G-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FI530G-VB TO220F

FI530G-VB TO220F概述

    FI530G-VB TO220F N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    FI530G-VB 是一款采用 TO-220F 封装的 N-Channel 100-V 漏源 (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品适用于多种高电压应用,特别是在需要高隔离度和稳定性能的应用环境中。主要功能包括高耐压能力、低热阻以及快速动态响应。广泛应用于电源管理、电机控制、逆变器和开关电源等领域。

    技术参数


    以下是 FI530G-VB 的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 100 V |
    | 栅源电压 | VGS | ± 20 V |
    | 持续漏极电流(TC=25°C) | ID 25 A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM 68 A |
    | 瞬态热阻(结到环境) | RthJA 65 | °C/W |
    | 动态 dV/dt 额定值 | 5.5 | V/ns |
    | 最大功率耗散(TC=25°C) | PD 48 | W |
    | 重复脉冲雪崩能量 | EAS 720 | mJ |
    | 重复雪崩电流 | IAR 17 | A |
    | 重复雪崩能量 | EAR 4.8 | mJ |
    | 阈值电压 | VGS(th) | 1.0 3.0 | V |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS 25 | µA |
    | 开启状态电阻 | RDS(on) 0.086 | Ω |

    产品特点和优势


    FI530G-VB MOSFET 具备以下特点和优势:
    - 高电压隔离:最大隔离电压为 2.5 kVRMS,适用于高压环境下的应用。
    - 高可靠性:具有较低的热阻,适合长时间运行和高温环境。
    - 快速动态响应:低 dV/dt 额定值使其在高速开关操作中表现出色。
    - 易用性:提供 RoHS 合规版本,确保符合环保要求。
    - 封装:采用 TO-220F 封装,方便安装和散热。

    应用案例和使用建议


    FI530G-VB MOSFET 广泛应用于电源转换、电机驱动和逆变器等领域。例如,在开关电源设计中,FI530G-VB 可以作为主开关器件,帮助实现高效的电压转换。在使用时,需要注意以下几点建议:
    - 散热设计:由于其较高的热阻,需设计良好的散热系统以确保正常工作。
    - 电路布局:尽量减少引线电感,提高系统的整体稳定性。
    - 驱动电路:使用合适的驱动器,确保快速而准确的开关控制。

    兼容性和支持


    FI530G-VB 支持多种应用,并且与其他标准的 N-Channel MOSFET 和电源管理 IC 兼容。制造商提供了详细的文档和技术支持,用户可以通过服务热线 400-655-8788 获取进一步的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:无法达到预期的工作温度范围
    - 解决方案:检查散热设计,确保符合规范,并根据需要添加散热片。
    2. 问题:开关频率过高导致器件过热
    - 解决方案:降低开关频率,或者增强散热措施,如增加风扇或散热器。
    3. 问题:工作电流超过额定值
    - 解决方案:选择更高额定值的 MOSFET 或者调整电路设计,避免过载。

    总结和推荐


    综上所述,FI530G-VB 是一款性能优越、适用于高压和高温环境的 N-Channel MOSFET。它具备高隔离度、低热阻和快速动态响应等特点,非常适合用于各种电源管理和电机控制应用。强烈推荐用户在选择 MOSFET 时考虑 FI530G-VB。为了确保最佳性能,建议在使用前仔细阅读并遵循制造商的技术指南。

FI530G-VB TO220F参数

参数
配置 -
通道数量 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -

FI530G-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FI530G-VB TO220F数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FI530G-VB TO220F FI530G-VB TO220F数据手册

FI530G-VB TO220F封装设计

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