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4N65-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: 4N65-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4N65-VB TO220F

4N65-VB TO220F概述

    4N65-VB TO220F N-Channel 650V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    4N65-VB TO220F 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其耐压值高达 650V。这款 MOSFET 采用 TO-220 全包封封装,适用于各种高电压电源转换应用。它的主要功能包括低门极电荷、优秀的雪崩和动态 dv/dt 耐受能力。该产品符合 RoHS 指令,具有出色的可靠性和性能。

    2. 技术参数


    以下是 4N65-VB TO220F 的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 650 | - | - | V |
    | 门源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 零门源漏电流 | IDSS | - | - | 25 | μA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 2.5 | - | Ω (VGS=10V) |
    | 门源电荷 | Qg | - | - | 48 | nC |
    | 门源电容 | Ciss | - | 080 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 1912 | - | pF (VDS=1.0V) |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 7.0 | - | pF |
    | 最大功率耗散 | PD | - | - | 30 | W (TC=25°C) |
    | 最大栅源电压 | VGS | ±30 | - | - | V |
    | 最大漏极连续电流 | ID | - | - | 3.8 | A (TC=25°C) |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 18 | A |
    | 最大单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 325 | mJ |

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷:这降低了驱动要求,使得电路设计更加简单。
    - 增强的门、雪崩和动态 dv/dt 耐受性:提高了 MOSFET 在高应力条件下的可靠性。
    - 完全标定的电容和雪崩电压电流特性:确保了产品的一致性和可预测性。
    - 符合 RoHS 指令:满足环保标准,对环境友好。

    4. 应用案例和使用建议


    4N65-VB TO220F 广泛应用于电源管理、逆变器、电机控制等领域。例如,在开关电源中,它能够有效地降低损耗并提高效率。具体应用时,建议使用合适的驱动电路以保证 MOSFET 的安全运行。为了减少寄生效应,应尽量缩短连接线长度并优化 PCB 布局。

    5. 兼容性和支持


    4N65-VB TO220F 支持与大多数标准高压电路的兼容。制造商提供了详尽的技术支持和售后服务,包括技术咨询、故障诊断和维修服务。此外,还提供应用指南和技术文档,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 漏电流过大
    - 解决方案: 检查门源电压 VGS 是否超出额定范围,适当增加门极电阻。
    - 问题: 导通电阻异常
    - 解决方案: 确认安装过程中是否受到物理损坏,检查门极电压是否正常。
    - 问题: 过热
    - 解决方案: 确保良好的散热措施,检查负载情况是否超出额定值。

    7. 总结和推荐


    4N65-VB TO220F N-Channel 650V MOSFET 是一款集高性能和高可靠性于一身的产品。其低门极电荷、增强的耐受性及全面的测试确保了其在多种应用场景中的优越表现。因此,强烈推荐给需要高效能 MOSFET 的用户和工程师。
    通过以上分析可以看出,4N65-VB TO220F 不仅在技术上具有显著优势,还在实际应用中展现出卓越的性能和可靠性。因此,无论是用于工业设备还是消费电子产品,它都是一个值得信赖的选择。

4N65-VB TO220F参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
FET类型 -

4N65-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4N65-VB TO220F数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4N65-VB TO220F 4N65-VB TO220F数据手册

4N65-VB TO220F封装设计

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