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4N06L07-VB TO220

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO220\n在工业电力系统中,该产品可用于开关电源、电机驱动器和UPS(不间断电源)等模块,以实现对电能的高效控制和转换。
供应商型号: 4N06L07-VB TO220 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4N06L07-VB TO220

4N06L07-VB TO220概述

    4N06L07-VB TO220 MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    4N06L07-VB 是一款采用 TO220 封装的 N 沟道 MOSFET,工作电压为 60V(D-S),具有极高的性能和稳定性。它广泛应用于工业控制、电源管理、通信设备以及其他需要高效能开关的应用场景。

    技术参数


    以下是根据技术手册整理出的主要技术参数:
    - 最大电压 (VDS):60V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (ID):120A @ 25°C, 90A @ 100°C
    - 脉冲漏极电流 (IDM):350A
    - 最大功耗 (PD):136W @ 25°C
    - 热阻 (RthJA):15°C/W(瞬态),40°C/W(稳态)
    - 导通电阻 (RDS(on)):5mΩ @ VGS = 10V, ID = 20A
    - 输入电容 (Ciss):680pF @ VGS = 0V, VDS = 25V
    - 输出电容 (Coss):570pF
    - 反向传输电容 (Crss):325pF
    - 总栅极电荷 (Qg):70nC @ VDS = 30V, VGS = 10V, ID = 50A

    产品特点和优势


    - 高温稳定性:能够在 -55°C 至 175°C 的宽温度范围内稳定工作。
    - 高性能导通电阻:导通电阻低至 5mΩ,适合高频开关应用。
    - 高可靠性:采用了先进的 TrenchFET 技术,提升了使用寿命和可靠性。
    - 大电流处理能力:可承受高达 350A 的脉冲漏极电流,适用于高电流需求的应用。

    应用案例和使用建议


    该 MOSFET 在多种场合下表现优异,例如在开关电源、电机驱动电路、逆变器以及各种控制板中。建议在使用时考虑其散热设计,确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:4N06L07-VB 与大多数标准 TO220 封装的电路板兼容。
    - 支持服务:如有任何技术支持需求,可通过服务热线 400-655-8788 联系台湾 VBsemi 专业团队。

    常见问题与解决方案


    - 问题:过热导致设备性能下降。
    - 解决方案:加强散热措施,如增加散热片或采用风扇强制风冷。

    - 问题:漏极电流不稳定。
    - 解决方案:检查连接线路是否有虚焊现象,并确认驱动信号质量。

    总结和推荐


    4N06L07-VB MOSFET 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,特别适合需要频繁开关和高电流处理的场合。它的高温度适应性、低导通电阻以及出色的散热性能使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐给需要这些特性的应用开发者和工程师。
    如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,欢迎随时联系台湾 VBsemi 的专业团队。

4N06L07-VB TO220参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -

4N06L07-VB TO220厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4N06L07-VB TO220数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4N06L07-VB TO220 4N06L07-VB TO220数据手册

4N06L07-VB TO220封装设计

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500+ ¥ 3.4551
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