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4N06L06-VB TO252

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,110A,RDS(ON),4.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.8Vth(V) 封装:TO252\n适用于需要中等功率、中等电流的电子系统,如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。
供应商型号: 4N06L06-VB TO252 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4N06L06-VB TO252

4N06L06-VB TO252概述


    产品简介


    产品类型及主要功能
    本文介绍的是VBsemi公司的一款N-Channel 60 V(D-S)175 °C MOSFET。这款场效应晶体管(MOSFET)具有强大的电流承载能力,广泛应用于各种电子设备中,例如电源管理、电机驱动、照明系统以及工业自动化等领域。
    应用领域
    该MOSFET可以用于以下几种场合:
    - 电源转换和调节
    - 驱动电机和其他感性负载
    - LED照明控制
    - 工业控制设备
    - 汽车电子控制系统

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 60 | V |
    | 漏极连续电流 | 97 A |
    | 漏极脉冲电流 290 | A |
    | 阈值电压 | 2.0 | 4.0 V |
    | 开态漏源电阻(VGS=10V) 0.0050 Ω |
    | 开态漏源电阻(VGS=4.5V) 0.0120 Ω |

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的沟槽结构设计,保证了高效率和低损耗。
    2. 低热阻封装:有助于散热,提高工作可靠性。
    3. 100% Rg和UIS测试:确保了可靠性和长期稳定性。
    4. 宽温度范围:可在-55°C到+175°C的温度范围内正常工作。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    在工业控制系统中,该MOSFET可以作为功率开关使用,配合PWM控制器来实现电机速度的精确控制。此外,在汽车电子中,它可以用于电池管理和发动机控制系统。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,建议选择散热良好的PCB设计以提高可靠性。
    - 考虑到瞬态过压的可能性,应在电路中加入适当的保护措施,如TVS二极管等。
    - 在电机驱动应用中,需要考虑电机启动时的高电流冲击,可选用较大容量的电容进行缓冲。

    兼容性和支持


    该MOSFET采用了标准的TO-252封装,易于集成到现有设计中。制造商提供了详尽的技术文档和支持,包括详细的电路设计指南和常见故障排除手册。服务热线400-655-8788也可提供技术支持和咨询服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过载导致器件损坏 | 使用外部保护电路,如保险丝或TVS二极管 |
    | 高温下性能下降 | 选择散热良好的PCB设计或外加散热片 |
    | 启动时电流冲击过大 | 在电路中加入缓冲电容 |

    总结和推荐


    综上所述,VBsemi公司的N-Channel 60 V(D-S)175 °C MOSFET凭借其高效的性能、可靠的稳定性以及宽广的工作温度范围,在众多应用场合中表现出色。强烈推荐此产品给需要高性能功率控制的客户。无论是工业控制还是汽车电子领域,它都是一个理想的选择。

4N06L06-VB TO252参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

4N06L06-VB TO252厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4N06L06-VB TO252数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4N06L06-VB TO252 4N06L06-VB TO252数据手册

4N06L06-VB TO252封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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