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5R520P-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: 5R520P-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 5R520P-VB TO220F

5R520P-VB TO220F概述

    N-Channel 550V Power MOSFET 5R520P-VB 技术手册

    产品简介


    N-Channel 550V Power MOSFET(型号:5R520P-VB)是一款高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为高电压应用设计。此器件适用于消费电子、服务器及电信电源供应系统、工业应用、电池充电器等多个领域。其主要功能包括低区域特定导通电阻、低输入电容和快速开关等,使其在各种应用中表现出色。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 550 | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | 2 | - | 4 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.26 | - | Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 80 | 150 | nC |
    | 门源电荷 | QGS | - | - | 12 | nC |
    | 门漏电荷 | QGD | - | - | 25 | nC |

    产品特点和优势


    - 低面积特定导通电阻:显著降低能耗,提高效率。
    - 低输入电容(Ciss):减少驱动电流需求,简化电路设计。
    - 减小电容切换损耗:提升开关频率和效率。
    - 反向二极管耐用性高:增强系统可靠性。
    - 雪崩能量额定值:确保安全工作区域。

    应用案例和使用建议


    该器件广泛应用于消费电子、电源管理、电机控制、焊接和加热设备等领域。例如,在服务器电源供应系统中,可作为高效能的功率开关;在电池充电器中,可提高充电效率并延长电池寿命。
    使用建议:
    - 在设计开关电源时,注意散热管理以避免因过热导致的性能下降。
    - 配合简单的门极驱动电路,可以有效实现快速开关。
    - 确保电路设计中考虑门极电荷的影响,以便更准确地进行开关时间计算。

    兼容性和支持


    该产品兼容现有的TO-220封装标准,并具备良好的电气特性和工作环境适应性。厂商提供详尽的技术支持和维护服务,确保用户能够充分发挥产品的性能优势。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:门极驱动信号不稳定导致开关延迟。
    解决方案:检查门极电阻(Rg)和门极电容(Cgs)的配置,确保门极驱动信号满足要求。

    2. 问题:发热过高导致器件损坏。
    解决方案:改善散热设计,如添加散热片或采用风冷/液冷方案。

    3. 问题:输出电流不稳定。
    解决方案:检查负载连接情况,确保负载稳定,并且门极驱动电压充足。

    总结和推荐


    综上所述,N-Channel 550V Power MOSFET(型号:5R520P-VB)凭借其优异的性能参数和广泛的应用范围,成为市场上非常具有竞争力的产品。它在高电压应用中表现卓越,不仅能够提高系统的整体效率,还能减少能源消耗。因此,我们强烈推荐在相关应用中选用这款产品。

5R520P-VB TO220F参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -

5R520P-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

5R520P-VB TO220F数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 5R520P-VB TO220F 5R520P-VB TO220F数据手册

5R520P-VB TO220F封装设计

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