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2N03L03-VB TO220

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: 2N03L03-VB TO220 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2N03L03-VB TO220

2N03L03-VB TO220概述

    # 2N03L03-VB TO220 N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    2N03L03-VB TO220 是一款N沟道30V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品采用了TrenchFET®技术,具有出色的性能和可靠性。它主要应用于OR-ing、服务器以及DC/DC转换等领域。

    技术参数


    以下是2N03L03-VB TO220的详细技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 30 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 连续漏极电流 | ID | - | 120 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 380 | A |
    | 额定单脉冲雪崩能量 | EAS | 64.8 | - | - | V |
    | 连续源漏二极管电流 | IS | - | 90 | - | A |
    | 最大功率耗散 | PD | - | - | 250 | W |
    | 热阻抗(结到环境) | RthJA | 32 | 40 | °C/W |
    | 热阻抗(结到外壳稳态) | RthJC | 0.5 | - | 0.6 | °C/W |

    产品特点和优势


    - TrenchFET®技术:这种技术可以提高效率并减少热阻。
    - 100%测试:每个产品都经过全面测试,包括Rg和UIS测试。
    - 符合RoHS标准:产品符合欧盟RoHS指令2011/65/EU。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - OR-ing电路:适用于电源冗余管理。
    - 服务器:适用于需要高可靠性的数据中心。
    - DC/DC转换器:适用于高效能的电源转换应用。
    使用建议
    - 在使用时,应确保栅源电压不超过±20V,以避免损坏。
    - 建议在散热良好的环境中使用,以防止过热导致的损坏。
    - 在进行设计时,考虑选择合适的散热片以保证其长期稳定运行。

    兼容性和支持


    该产品可与其他标准TO-220封装的MOSFET轻松互换。制造商提供详尽的技术支持,包括数据表和样品寄送服务,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 漏极电流过高 | 检查负载是否正常,并适当增加散热片以降低热阻。 |
    | 电压波动大 | 确保电源稳定,使用稳压器调节输入电压。 |
    | 发热严重 | 选择合适尺寸的散热片,或增加散热风扇辅助散热。 |

    总结和推荐


    综上所述,2N03L03-VB TO220 MOSFET凭借其高性能、高可靠性和广泛的适用范围,在多个领域内表现出色。强烈推荐在需要高可靠性、高效能的应用中使用该产品。
    如有更多疑问,欢迎联系我们的服务热线:400-655-8788。

2N03L03-VB TO220参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
配置 -

2N03L03-VB TO220厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2N03L03-VB TO220数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2N03L03-VB TO220 2N03L03-VB TO220数据手册

2N03L03-VB TO220封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
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