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4N0403D-VB TO263

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,40V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO263适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、电动车辆和工业控制等领域的模块中。
供应商型号: 4N0403D-VB TO263 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4N0403D-VB TO263

4N0403D-VB TO263概述


    产品简介


    4N0403D-VB是一款N沟道40V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于TO263封装类型。它主要应用于同步整流和电源供应等领域。TrenchFET®技术的应用使得这款MOSFET具备高效的电能转换能力和良好的热性能。

    技术参数


    以下是4N0403D-VB的关键技术参数:
    - 电压参数:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 150V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±25V
    - 电流参数:
    - 连续漏极电流 \( ID \): 150A(\( TJ \) = 175°C)
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 380A
    - 源漏二极管连续电流 \( IS \): 110A
    - 电阻参数:
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 10V \)时: 0.0017Ω
    - \( V{GS} = 4.5V \)时: 0.0025Ω
    - 电容参数:
    - 输入电容 \( C{iss} \): 9000pF(\( V{DS} = 20V \), \( V{GS} = 0V \))
    - 输出电容 \( C{oss} \): 650pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 450pF
    - 开关时间:
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \): 20-30ns
    - 上升时间 \( tr \): 11-17ns
    - 关闭延迟时间 \( t{d(off)} \): 77-115ns
    - 下降时间 \( tf \): 10-15ns

    产品特点和优势


    - 高效率:采用TrenchFET®技术,极大地降低了导通电阻和损耗。
    - 宽工作温度范围:-55°C到150°C的工作温度范围使其适用于广泛的工业和消费类电子产品。
    - 快速开关特性:出色的开关时间和低输入输出电容使其适合高频应用。
    - 耐用性强:绝对最大额定值中的各项指标确保了其在极端条件下的可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 同步整流:适用于各类DC-DC转换器,能够显著提高转换效率。
    - 电源供应:特别适合于高功率密度设计,如服务器电源、通信设备电源等。
    使用建议
    - 散热管理:由于其较高的功率损耗,建议采用适当的散热措施,例如使用散热片或风扇,以保证稳定工作。
    - 驱动电路:建议采用较低的栅极电阻,以缩短开关时间并降低开关损耗。

    兼容性和支持


    4N0403D-VB MOSFET兼容标准表面贴装工艺,并且支持多种应用设计。VBsemi公司提供详细的技术支持文档和售后服务热线(400-655-8788),帮助客户解决应用过程中遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温环境下无法正常工作 | 检查散热装置是否工作正常,并优化散热方案。 |
    | 开关频率过高导致发热严重 | 降低开关频率或增加散热措施。 |
    | 无法实现预期的转换效率 | 检查驱动电路和负载匹配情况,优化电路设计。 |

    总结和推荐


    4N0403D-VB MOSFET凭借其高效能、宽工作温度范围和优秀的开关特性,在多种应用中表现出色。它特别适合于高功率密度的设计,如电源供应、同步整流等领域。对于追求高性能和可靠性的设计者而言,这款MOSFET是一个值得推荐的选择。

4N0403D-VB TO263参数

参数
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

4N0403D-VB TO263厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4N0403D-VB TO263数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4N0403D-VB TO263 4N0403D-VB TO263数据手册

4N0403D-VB TO263封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
800+ ¥ 4.9667
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