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20N65M5-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
供应商型号: 20N65M5-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 20N65M5-VB TO220F

20N65M5-VB TO220F概述


    产品简介


    20N65M5-VB TO220F
    20N65M5-VB是一款由VBsemi公司生产的N沟道650V(D-S)超级结功率MOSFET。该器件具有超低的栅极电荷(Qg),极低的输入电容(Ciss)和开关及导通损耗,特别适用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)和照明等领域。该产品广泛应用于高强光放电灯(HID)和荧光灯管等工业应用。

    技术参数


    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 栅源电压(VGS) | -30 30 | V |
    | 漏源击穿电压(VDS) | 650 - | V |
    | 栅源阈值电压(VGS(th)) | 2 5 | V |
    | 导通电阻(RDS(on)) 0.19 Ω |
    | 输入电容(Ciss) 2322 pF |
    | 输出电容(Coss) 105 pF |
    | 有效输出电容(时间相关)(Co(tr)) 293 pF |
    | 总栅极电荷(Qg) 71.06 nC |
    | 门限导通延迟时间(td(on)) 22.4 ns |
    | 栅源电荷(Qgs) 14 nC |
    | 门限关断延迟时间(td(off)) 68 ns |
    | 热阻抗(RthJA) 62 °C/W |

    产品特点和优势


    20N65M5-VB超级结功率MOSFET具有多种显著优势,包括:
    - 超低栅极电荷(Qg):极大地降低了驱动功率的需求。
    - 低输入电容(Ciss):减少静态功耗,提高开关效率。
    - 低导通电阻(RDS(on)):在10V VGS下的典型值为0.19Ω,有效降低导通损耗。
    - 优越的热性能:具有较低的热阻抗(RthJA=62°C/W),便于散热。
    - 超低栅源电压下的导通电流:VDS在520V时,VGS=0V下的导通电流最大可达到1μA,适合于高电压系统。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源转换器:如服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)和功率因数校正电源(PFC)。这些应用要求高效的能量转换和稳定可靠的性能,20N65M5-VB正是满足这些需求的理想选择。
    - 照明系统:特别是在高强光放电灯(HID)和荧光灯管的应用中,该MOSFET能够提供高效且可靠的功率控制。
    使用建议:
    - 在设计电路时,需要确保散热片尺寸足够,以避免过热导致的可靠性问题。
    - 对于高压应用,需要额外注意电容值的选择,确保符合应用要求。

    兼容性和支持


    该MOSFET与市场上大多数现有的电源转换器和其他高压系统完全兼容。VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户在使用过程中可以随时获得技术支持。此外,VBsemi还为客户提供样品请求、设计指南和详细的应用手册。

    常见问题与解决方案


    常见问题1:在启动阶段,如何降低输入电流的尖峰?
    - 解决方案:可以在栅极回路中添加栅极电阻(Rg),并优化驱动信号波形以降低电流尖峰。
    常见问题2:温度对MOSFET的性能有何影响?
    - 解决方案:确保散热装置的尺寸合适,并使用热界面材料(TIM)以增强散热效果。还可以考虑在高温环境下使用热敏电阻进行温度补偿。

    总结和推荐


    总体而言,20N65M5-VB是适用于高功率、高效率应用场景的理想选择。它凭借其卓越的性能、稳定的电气特性和广泛的适用范围,在多个行业领域中表现出色。鉴于其强大的市场竞争力和优异的技术指标,强烈推荐将其用于高压应用中的关键电源转换组件。
    此文章旨在详细介绍20N65M5-VB超级结功率MOSFET的技术参数和优势,为工程师和设计师在实际应用中提供参考。

20N65M5-VB TO220F参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -

20N65M5-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

20N65M5-VB TO220F数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 20N65M5-VB TO220F 20N65M5-VB TO220F数据手册

20N65M5-VB TO220F封装设计

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