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4810NG-VB TO252

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: 4810NG-VB TO252 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4810NG-VB TO252

4810NG-VB TO252概述

    N-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    本产品为N沟道30-V(D-S)功率MOSFET,型号为4810NG TO252。它采用了TrenchFET®技术,适用于OR-ing、服务器和DC/DC转换器等多种应用场合。这种MOSFET具备出色的可靠性和高效能表现,特别适合高电流和高频率的应用需求。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 30 V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±20 V
    - 连续漏极电流 \(ID\)(TC = 25 °C时): 8 A
    - 最大脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 200 A
    - 单脉冲雪崩电流 \(I{AS}\): 39 A
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 94.8 mJ
    - 连续源极漏极二极管电流 \(IS\)(TC = 25 °C时): 50 A
    - 最大功耗 \(PD\)(TC = 25 °C时): 100 W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\)(\(V{GS} = 0\) V,\(ID = 250 \mu A\)): 30 V
    - 栅源阈值电压 \(V{GS(th)}\)(\(V{DS} = V{GS}\),\(ID = 250 \mu A\)): 1.5 V ~ 2.0 V
    - 漏源导通电阻 \(R{DS(on)}\): 0.007 Ω(\(V{GS} = 10\) V)
    - 零栅电压漏极电流 \(I{DSS}\): 1 μA(\(V{DS} = 30\) V)
    - 动态参数
    - 输入电容 \(C{iss}\): 2201 pF(\(V{DS} = 15\) V,\(V{GS} = 0\) V,\(f = 1\) MHz)
    - 输出电容 \(C{oss}\): 525 pF
    - 反向转移电容 \(C{rss}\): 370 pF
    - 总栅极电荷 \(Qg\): 35 nC ~ 45 nC(\(V{DS} = 15\) V)

    产品特点和优势


    - TrenchFET®技术:采用先进的TrenchFET®技术,确保更高的效率和更低的导通电阻,使得MOSFET在高频率和高电流条件下依然能够稳定运行。
    - 全检测试:100%的栅极电阻和UIS测试,确保每一个出厂的产品都经过严格的测试。
    - 环保认证:符合RoHS标准,适用于各种环保要求高的应用场合。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于服务器电源管理系统、直流到直流转换器和OR-ing电路。例如,在服务器电源管理系统中,它可以有效地管理电源的输出,提供可靠的电力供应。
    使用建议:
    - 在使用过程中,注意不要超过最大额定值,特别是在高负载情况下要合理散热。
    - 在高频应用中,考虑使用较低的栅极电阻以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    产品支持标准的TO-252封装,具有良好的兼容性。厂商提供详细的技术支持和售后服务,确保用户能够充分利用产品的性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET过热导致损坏。
    - 解决方案:确保散热良好,可以通过增加散热片或者使用更大的PCB来提高散热效果。

    - 问题:高频应用中出现开关损耗过高。
    - 解决方案:选择更低的栅极电阻或者使用更高效的驱动电路来减少开关损耗。

    总结和推荐


    这款N-Channel 30-V MOSFET凭借其卓越的性能和稳定的可靠性,特别适合在高电流和高频率的应用中使用。无论是服务器电源管理系统还是DC/DC转换器,都是一个值得推荐的选择。尽管需要谨慎处理其最大额定值,但它的整体表现足以满足大多数应用的需求。

4810NG-VB TO252参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -

4810NG-VB TO252厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4810NG-VB TO252数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4810NG-VB TO252 4810NG-VB TO252数据手册

4810NG-VB TO252封装设计

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