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6R600P6-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: 6R600P6-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 6R600P6-VB TO220F

6R600P6-VB TO220F概述

    6R600P6-VB TO220F N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    6R600P6-VB 是一款采用 TO220F 封装的 N 沟道 650V 功率 MOSFET。它主要用于高压应用,具有低通态电阻(RDS(on))和高雪崩耐受能力,适用于多种电源转换和驱动应用。这款器件广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源、照明以及工业应用中。

    2. 技术参数


    以下是6R600P6-VB的关键技术规格:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 650 | V |
    | 漏源通态电阻 | RDS(on) | - | 2.2 | - | Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 43 | - | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 5 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | 22 | - | nC |
    | 输入电容 | Ciss | - | - | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | - | - | pF |

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷 (Qg):有效降低开关损耗,提高效率。
    - 低输入电容 (Ciss):减少驱动功率需求,提升系统整体性能。
    - 低通态电阻 (RDS(on)):显著降低导通损耗,提高器件在高电流下的性能。
    - 低雪崩能量 (EAS):提供更强的可靠性,适合高压应用。
    - 优秀的开关性能:快速的开关时间和优化的动态特性使其适合高速应用。

    4. 应用案例和使用建议


    6R600P6-VB MOSFET 适用于多种应用场合,例如:
    - 服务器和电信电源:利用其高可靠性和高性能来确保稳定供电。
    - 照明系统:特别适合于 HID 和荧光灯的驱动,能效高且可靠性强。
    - 工业设备:在需要高电压和高电流的应用中表现出色。
    使用建议:
    - 确保散热良好,以防止过热影响性能。
    - 配置适当的驱动电路,以确保栅极电荷在推荐范围内。

    5. 兼容性和支持


    该产品与其他标准的 TO220F 封装 MOSFET 具有良好的兼容性,便于用户替换和升级现有设计。VBsemi 提供全面的技术支持,包括详细的用户手册和技术文档,以帮助客户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 器件温度过高?
    - A: 确保散热片安装正确,增加散热片面积或改进通风条件。

    - Q: 开关时产生噪声?
    - A: 优化电路布局,尽量减少寄生电感,确保所有连接点紧固。

    7. 总结和推荐


    6R600P6-VB 是一款高性能的 N 沟道 650V 功率 MOSFET,具有低栅极电荷、高雪崩耐受能力和优异的开关性能。这些特点使其成为服务器电源、通信设备及工业控制系统的理想选择。强烈推荐在需要高效率和高可靠性应用场景中使用此产品。如需更多信息,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

6R600P6-VB TO220F参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -

6R600P6-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

6R600P6-VB TO220F数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 6R600P6-VB TO220F 6R600P6-VB TO220F数据手册

6R600P6-VB TO220F封装设计

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