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90N4F3-VB TO220

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,40V,110A,RDS(ON),6mΩ@10V,7mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220 可用作开关电源的主动开关器件,适用于DC-DC变换器、电源逆变器等模块,提供高效、稳定的能量转换和电源输出。
供应商型号: 90N4F3-VB TO220 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 90N4F3-VB TO220

90N4F3-VB TO220概述

    90N4F3-VB N-Channel 40-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    90N4F3-VB 是一款 N-Channel MOSFET,适用于同步整流和电源管理应用。该产品采用先进的 TrenchFET® 技术,具有低导通电阻和高可靠性等特点。广泛应用于电源管理和高频开关电路中,能够有效提高系统效率并减少能量损耗。

    技术参数


    以下是 90N4F3-VB 的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | 40 | - | V |
    | 栅源漏电流 | ID | 110 | - | 110 | A |
    | 导通状态漏源电阻 | RDS(on) | 6 | - | 6 | mΩ |
    | 阈值电压 | VGS(th) | 1.2 | 2.5 | - | V |
    | 门极电荷 | Qg | - | 130 | - | nC |
    | 栅极-源极电荷 | Qgs | - | 20 | - | nC |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd | - | 32 | - | nC |
    | 最大功率耗散 | PD | 312 | - | 312 | W |

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:采用了先进的沟槽技术,使得导通电阻更低,从而显著提高能效。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:保证每个产品都经过严格的质量测试,确保高性能和高可靠性。
    - 高耐压能力:最大漏源电压为 40V,适合多种高压应用环境。
    - 低栅极电荷:降低开关损耗,提高电路的整体效率。

    应用案例和使用建议


    - 同步整流:在电源转换器中作为同步整流管,显著提高转换效率。
    - 电源管理:用于直流-直流转换器和其他电源管理模块,减少热损失和提升系统整体稳定性。
    使用建议:
    - 确保电路设计中考虑散热需求,特别是在高电流环境下使用时。
    - 使用 PCB 布局时,尽量减小寄生电感和电容,以提高电路性能。
    - 在高温环境下使用时,适当降低负载电流以避免过热。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与大多数标准电源管理 IC 和其他电子元器件兼容。
    - 技术支持:制造商提供详细的技术文档和支持服务,以帮助客户进行产品选型和电路设计。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高电流环境下出现过热现象。
    解决方法:增加散热措施,如加装散热片或采用强制风冷。

    - 问题:电路无法正常启动。
    解决方法:检查电路接线是否正确,确保栅极驱动信号足够强。

    总结和推荐


    90N4F3-VB MOSFET 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,具备出色的导通电阻和高可靠性。它在电源管理和高频开关电路中表现出色,特别适用于需要高效能的应用场合。我们强烈推荐此产品用于各种电源管理应用,尤其是那些对效率和可靠性有较高要求的设计。

90N4F3-VB TO220参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -

90N4F3-VB TO220厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

90N4F3-VB TO220数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 90N4F3-VB TO220 90N4F3-VB TO220数据手册

90N4F3-VB TO220封装设计

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100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.7636
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