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8NM50N-VB TO252

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: 8NM50N-VB TO252 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 8NM50N-VB TO252

8NM50N-VB TO252概述


    产品简介


    4VQFS +VODUJPO Power MOSFET 是一款高性能的 N 沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET)。它适用于多种电子设备和系统,如服务器电源、电信电源、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明设备(如高强度放电灯 HID 和荧光灯照明)及工业应用。这款 MOSFET 通过低导通电阻(RDS(on))和低门极电荷(Qg),显著降低了开关损耗和传导损耗,从而实现高效的能量转换和管理。

    技术参数


    - 耐压(VDS): 最大值为 650V,在最大结温条件下
    - 导通电阻(RDS(on)): 在 25°C 时,VGS=10V 时的最大值为 0.7Ω
    - 总门极电荷(Qg): 最大值为 13nC
    - 门极-源极电荷(Qgs): 11.1nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd): 11.8nC
    - 绝对最大额定值:
    - 栅极-源极电压(VGS): ±30V
    - 连续漏极电流(TJ = 150°C): 在 VGS=10V 时,TC=25°C 下为 8A,TC=100°C 下为 7A
    - 脉冲漏极电流: 12A
    - 单脉冲雪崩能量: 97mJ
    - 最大功耗: 100W
    - 工作结温和存储温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 栅极-漏极电压斜率: TJ = 125°C 下为 60V/ns
    - 热阻抗:
    - 结到环境的最大热阻抗(RthJA): 63°C/W
    - 结到外壳的最大热阻抗(RthJC): 0.6°C/W
    - 封装类型: 包括 TO-220AB、TO-220 FULLPAK、TO-252 和 TO-251 封装

    产品特点和优势


    - 低开关损耗和传导损耗:通过优化设计和制造工艺,使得该 MOSFET 具有更低的导通电阻(RDS(on))和总门极电荷(Qg),有效减少开关损耗和传导损耗。
    - 高可靠性:耐高压,能够承受高达 650V 的耐压值,适合各种高电压应用环境。
    - 宽工作温度范围:-55°C 至 +150°C 的工作温度范围,使其适用于极端条件下的电子设备。
    - 良好的热性能:较高的热导率和较低的热阻抗,有助于快速散热,保持 MOSFET 的稳定性能。
    - 高安全系数:具备单脉冲雪崩能量(EAS)保护,确保设备的安全运行。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:在服务器电源和电信设备中,这款 MOSFET 可用于高效率的电压转换和负载管理。建议根据具体需求选择合适的封装类型,并注意散热管理以确保最佳性能。
    - 开关模式电源供应(SMPS):在 SMPS 中,该 MOSFET 可用于提高整体转换效率,降低能耗。使用时需确保正确选择合适的栅极驱动电压和电流,以避免过载或损坏。
    - 荧光灯照明:适用于高效率的荧光灯驱动电路,可以显著提升灯光效果和能源利用效率。在使用时应注意电路的设计和布局,确保 MOSFET 正确散热,防止过热。
    - 工业应用:在工业环境中,如电机驱动和自动化控制系统中,此款 MOSFET 可用于实现高效能的电力控制。需要注意的是,选择合适的安装位置和散热方案,确保设备正常运行。

    兼容性和支持


    - 封装兼容性:该 MOSFET 支持多种封装类型(TO-220AB、TO-220 FULLPAK、TO-252 和 TO-251),可方便地与其他不同封装的元器件兼容。
    - 技术支持:台湾 VBsemi Electronics Co., Ltd. 提供全面的技术支持和服务,包括应用指南、设计支持和售后服务。如需更多技术支持,可通过公司官网获取更多信息或联系客户服务中心。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何确保 MOSFET 不过热?
    - A: 采用适当的散热措施,如使用散热片或散热风扇,并确保 PCB 设计有足够的散热面积。
    - Q: MOSFET 在高频率应用中是否会失效?
    - A: 使用时需确保选择正确的栅极驱动电压和电流,避免过高的开关速度导致 MOSFET 失效。建议进行详细的电路设计和仿真测试。
    - Q: 如何处理 MOSFET 的焊接问题?
    - A: 确保焊接温度不超过 300°C,并且焊接时间不超过 10 秒,避免损坏 MOSFET。使用适合的焊接工具和工艺,确保焊接质量。

    总结和推荐


    综上所述,4VQFS +VODUJPO Power MOSFET 是一款高性能、多功能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,适用于多种高电压和高功率应用。其独特的设计和优化的参数使其具有卓越的性能和可靠性。对于需要高效、稳定电力转换的应用场合,强烈推荐使用此款 MOSFET。在实际应用中,需要根据具体需求选择合适的封装类型和散热方案,以确保最佳性能。如需进一步技术支持和详细信息,请访问官方网站或联系客户服务中心。

8NM50N-VB TO252参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -

8NM50N-VB TO252厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

8NM50N-VB TO252数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 8NM50N-VB TO252 8NM50N-VB TO252数据手册

8NM50N-VB TO252封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.3111
2500+ ¥ 3.1672
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