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50N06-VB TO263

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,75A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263\n由于其较高的漏极电流和较低的导通电阻,适合用于开关电源、逆变器和电源管理模块,以提供稳定可靠的电力输出。
供应商型号: 50N06-VB TO263 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 50N06-VB TO263

50N06-VB TO263概述


    产品简介


    本手册介绍了50N06-VB N-Channel 60-V MOSFET,属于TrenchFET®系列的功率MOSFET。该产品具有耐高结温(175°C)的特点,适用于工业控制、电源转换和电机驱动等多种应用场景。50N06-VB MOSFET采用TO-263封装,能够提供高性能和可靠性。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 持续漏极电流 (TJ=175°C) | ID | 75 A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 200 A |
    | 持续源极电流 | IS | 50 A |
    | 击穿电流 | IAS | 50 A |
    | 单次雪崩能量 (D≤1%) | EAS | 125 mJ |
    | 最大功率耗散 | PD | 136 W |
    | 最大结到环境热阻 | RthJA | 15 | 18 °C/W |
    | 最大结到外壳热阻 | RthJC | 0.85 | 1.1 °C/W |

    产品特点和优势


    1. 高温耐受性:最高工作温度可达175°C,适合恶劣环境下的应用。
    2. 低导通电阻:在栅极电压为10V时,RDS(on)仅为11mΩ,在栅极电压为4.5V时,RDS(on)仅为12mΩ。
    3. 高电流承载能力:连续漏极电流为75A,脉冲漏极电流可达200A。
    4. 高可靠性:具有出色的热稳定性和高抗冲击性,确保长期可靠运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源转换器:适用于需要高电流承载能力和快速开关的应用。
    - 电机驱动器:由于其低导通电阻和高耐温性,非常适合于电机驱动系统。
    使用建议
    - 在设计电源转换器时,确保散热片的尺寸足够大以应对高功率耗散。
    - 在电机驱动应用中,选择合适的栅极驱动器来优化开关性能,减少功耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:50N06-VB MOSFET与大多数标准电路板兼容,可直接焊接到1" x 1" FR4板上。
    - 支持:台湾VBsemi提供详尽的技术支持和售后服务,包括产品规格更新和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:高温环境下工作,如何确保可靠性?
    - 解决方案:使用适当的散热措施,如散热片或风扇,保持结温在安全范围内。
    2. 问题:在高负载下使用时,电流输出不稳定。
    - 解决方案:检查并优化电路布局,确保良好的接地和信号完整性,同时考虑增加散热。

    总结和推荐


    50N06-VB MOSFET以其卓越的性能和可靠性,在多种高要求应用中表现出色。其高耐温性和低导通电阻使其成为电源转换和电机驱动的理想选择。尽管价格可能略高于普通MOSFET,但其出色的性能和耐用性使得它物有所值。强烈推荐在关键应用中使用此产品。

50N06-VB TO263参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -

50N06-VB TO263厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

50N06-VB TO263数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 50N06-VB TO263 50N06-VB TO263数据手册

50N06-VB TO263封装设计

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100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
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