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07N65C3-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: 07N65C3-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 07N65C3-VB TO220F

07N65C3-VB TO220F概述

    07N65C3-VB TO220F 技术手册

    产品简介


    07N65C3-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道功率 MOSFET,适用于 650V 的漏源电压(D-S)。这款电子元器件具有低导通电阻和超低栅极电荷(Qg),特别适合用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯镇流器)等领域。工业应用也是其常见的使用场景之一。

    技术参数


    以下是该产品的主要技术规格:
    | 参数 | 数值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 | 650 | V |
    | 导通电阻 | 3 - 5 | V |
    | 最大栅源电压 | ± 30 | V |
    | 连续漏电流(TJ=150°C) | 12 (25°C) | A |
    | 最大脉冲漏电流 | 45 | A |
    | 最高工作温度 | 150 | °C |
    | 反向恢复时间 | 345 | ns |
    | 反向恢复电荷 | 4.5 | μC |

    产品特点和优势


    - 低阻抗特性:07N65C3-VB 具有低导通电阻和超低栅极电荷,这显著减少了导通和开关损耗。
    - 高效能:超低的栅极电荷(Qg)使得开关速度更快,效率更高。
    - 耐用性:该产品具有良好的雪崩耐受能力,适用于各种极端条件下的应用。
    - 多用途:广泛应用于多种设备,如服务器、电信设备、照明系统等。

    应用案例和使用建议


    该产品被广泛应用于高可靠性要求的场合,如:
    - 服务器和电信设备:确保长时间稳定运行。
    - 开关模式电源:提高电源转换效率。
    - 荧光灯镇流器:提供高效的电子镇流器解决方案。
    使用建议:
    1. 在设计电路时,需注意负载电流与散热情况以保证产品的正常工作。
    2. 确保正确的驱动电压和驱动电阻来避免过高的损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品可与其他标准的 TO-220 封装的 MOSFET 互换。
    - 支持和服务:如果您需要技术支持或产品维护,请拨打服务热线 400-655-8788,与专业技术人员联系。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热 | 调整栅极电阻和驱动电压以降低开关损耗 |
    | 系统稳定性不佳 | 确保正确的电路布局和接地设计,减少杂散电感 |
    | 发现栅极电容变化 | 更换电容器件或重新计算电容匹配参数 |

    总结和推荐


    综上所述,07N65C3-VB 是一款性能优异的 N 沟道功率 MOSFET,特别适合需要高可靠性和高效率的应用场合。它的低导通电阻和超低栅极电荷使其成为服务器、电信设备、照明系统等多种应用的理想选择。考虑到其多样化的应用场景和卓越的性能,强烈推荐使用这款产品。

07N65C3-VB TO220F参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -

07N65C3-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

07N65C3-VB TO220F数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 07N65C3-VB TO220F 07N65C3-VB TO220F数据手册

07N65C3-VB TO220F封装设计

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