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85N02-VB TO252

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道场效应管,具有20V的标称漏极-源极电压(VDS),±20V的标称栅极-源极电压(VGS),以及0.5~1.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=2.5V时,其导通电阻(RDS(on))为6mΩ,在VGS=4.5V时为5mΩ。该器件最大漏极电流(ID)可达100A,采用Trench技术(沟槽结构),封装为TO252。该器件适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。
供应商型号: 85N02-VB TO252 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 85N02-VB TO252

85N02-VB TO252概述

    # 85N02 TO252 N-Channel 20V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    85N02 TO252 是一款高性能的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),采用TrenchFET™技术设计,适用于多种电源管理、开关电路和电机控制应用。该产品以低导通电阻(rDS(on))、高电流承载能力以及宽广的工作温度范围(-55°C至+175°C)著称,特别适合在恶劣环境下的工业和汽车电子应用。
    主要功能
    - 高效开关性能,适合作为驱动器或负载切换元件。
    - 集成设计的热阻优化结构。
    - 极高的可靠性,100% Rg 测试。
    应用领域
    - 开关电源(SMPS)
    - DC-DC 转换器
    - 电池充电管理
    - 电机控制和驱动
    - 照明系统

    2. 技术参数


    以下是85N02 TO252的关键技术规格,便于用户快速参考:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | 20 | - | - | V |
    | 导通状态漏源电阻 | rDS(on) | 0.0045 | - | 0.006 | Ω |
    | 持续漏极电流(25°C) | ID | 100 | - | - | A |
    | 持续漏极电流(100°C) | ID | - | 80 | - | A |
    | 最大功耗(25°C) | PD | 71 | - | - | W |
    | 最大功耗(TA=25°C) | PD | - | 8.3 | - | W |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 175 | °C |
    其他特性包括:封装为TO-252,支持栅极抗静电保护,以及具有良好的耐热性能。

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:在VGS=4.5V时,rDS(on)仅为0.0045Ω,可显著降低功耗并提高效率。
    - 高结温能力:最高可达175°C,适合高温应用。
    - 优化设计:采用先进的TrenchFET技术,提供出色的动态响应和开关速度。
    - 高度可靠:经过全面测试,保证长期稳定运行。
    这些特点使85N02 TO252成为高效率和高可靠性电子设计的理想选择,在成本敏感的应用场景下具备强大竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:用于AC-DC或DC-DC转换器,作为主控开关元件,能够快速切换并降低损耗。
    - 电机驱动:在BLDC电机中担任高效开关的角色,提升整体效率。
    - 电池管理系统:负责电池充放电的精确控制。
    使用建议
    - 在设计时需注意散热问题,确保PCB设计合理,避免过热导致失效。
    - 当工作温度接近最大额定值时,建议采用外部冷却措施(如风扇或散热片)。
    - 结合PWM信号实现最佳的开关频率调整。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    85N02 TO252与标准TO-252封装完全兼容,可以轻松替换其他同规格器件。
    支持:
    台湾VBsemi公司提供了详尽的技术文档和优质的售后服务。如有需要,客户可通过服务热线400-655-8788联系获取进一步支持。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 添加散热器或优化PCB布局 |
    | 开关效率低下 | 检查驱动电路参数,调整驱动电压 |
    | 寿命较短 | 确保符合规格的工作条件,避免超载运行 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    85N02 TO252凭借其优异的性能参数、宽广的工作温度范围以及高可靠性,成为电子设计师的优秀选择。尤其适合需要高效能和稳定性的工业及汽车应用。
    推荐结论
    强烈推荐此款产品应用于需要高效能和高可靠性电源管理及开关控制的场合。同时,建议用户仔细阅读技术手册,结合实际应用场景进行设计优化,以充分发挥其潜力。
    如需更详细的定制化支持,欢迎联系台湾VBsemi官方渠道咨询!

85N02-VB TO252参数

参数
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -

85N02-VB TO252厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

85N02-VB TO252数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 85N02-VB TO252 85N02-VB TO252数据手册

85N02-VB TO252封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
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