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9N60M2-VB TO252

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: 9N60M2-VB TO252 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 9N60M2-VB TO252

9N60M2-VB TO252概述


    产品简介


    产品名称:9N60M2 N-Channel MOSFET
    类型:功率场效应晶体管(Power MOSFET)
    主要功能:
    - 高效驱动
    - 低导通电阻(RDS(on))
    - 低开关损耗
    - 优异的温度稳定性
    应用领域:
    - 服务器和电信电源供应系统
    - 开关模式电源供应(SMPS)
    - 功率因数校正电源(PFC)
    - 照明系统(如高强放电灯、荧光灯)
    - 工业设备

    技术参数


    - 最大耐压(VDS):650 V
    - 最大导通电阻(RDS(on)):0.7 Ω (VGS = 10 V)
    - 最大栅极电荷(Qg):16 nC
    - 输入电容(Ciss):147 pF
    - 最大连续漏电流(ID):8 A (TJ = 150 °C)
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):650 V
    - 栅源电压(VGS):±30 V
    - 最大脉冲漏电流(IDM):12 A
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):97 mJ
    - 最大功耗(PD):180 W
    - 最大结温(TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 热阻
    - 最大结至环境热阻(RthJA):63 °C/W
    - 最大结至外壳热阻(RthJC):0.6 °C/W

    产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(on)):显著减少功率损耗,提高能效。
    - 低输入电容(Ciss):减少开关损耗,提升工作效率。
    - 超低栅极电荷(Qg):降低门极驱动损耗,简化电路设计。
    - 出色的雪崩能力:提供稳定的性能,适合高可靠性应用。
    - 宽工作温度范围:适应各种恶劣环境,确保稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在服务器电源供应系统中,9N60M2 MOSFET 被广泛应用于服务器电源的直流转换,以实现高效、可靠的电力管理。
    - 在工业照明系统中,MOSFET 可用于控制高强放电灯和荧光灯的开关及调光操作。
    使用建议:
    - 在使用时,应确保工作环境温度不超出规定的最大结温(150 °C),以避免过热导致的损坏。
    - 建议使用高效的散热器,以提高 MOSFET 的使用寿命和可靠性。
    - 在进行高频开关操作时,注意选择合适的门极电阻(Rg),以减少开关损耗并提高效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:9N60M2 与多种标准引脚封装相兼容,适用于大多数现有的 PCB 设计。
    - 支持和服务:台湾VBsemi公司提供了详尽的技术文档和客户支持,包括在线技术论坛、技术支持热线(400-655-8788)和定期的软件更新。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET 过热如何处理?
    - 解决方案:使用更大的散热器或者增加风扇冷却,同时检查电路是否过载。

    - 问题2:MOSFET 的输出电流不足怎么办?
    - 解决方案:检查栅极驱动电压是否足够高,必要时增加栅极驱动电阻(Rg)或更换更高驱动能力的栅极驱动器。

    - 问题3:MOSFET 的栅极电压波动如何避免?
    - 解决方案:使用滤波电容器来稳定栅极电压,并确保电路设计的布线尽可能短且直接。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:9N60M2 MOSFET 的低导通电阻、高可靠性和广泛的适用范围使其成为市场上的一款高性能产品。它在多种电力转换和控制应用中表现出色。
    - 推荐:强烈推荐使用此款 MOSFET 于服务器电源、工业照明以及其他需要高效电力管理的应用中。其高可靠性和稳定性将确保长期使用下的性能表现。
    通过上述分析,可以看出9N60M2 MOSFET 在技术规格、工作性能和适用性方面具有明显的优势,是市场上值得信赖的选择。

9N60M2-VB TO252参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

9N60M2-VB TO252厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

9N60M2-VB TO252数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 9N60M2-VB TO252 9N60M2-VB TO252数据手册

9N60M2-VB TO252封装设计

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